Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Detektory" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Układ optyczny w długofalowych kamerach termowizyjnych przeznaczonych do obserwacji mikroelementów
Optical system in long wave infrared cameras for microelements observation
Autorzy:
Dziarski, K.
Parzych, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378355.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
termowizja
metrologia
obudowy SMD
detektory podczerwieni
Opis:
W niniejszym artykule przedstawiono dostępne na rynku rozwiązania zastosowane w długofalowych kamerach termowizyjnych pozwalających na obserwacje elementów zamkniętych w obudowach przeznaczonych do montażu powierzchniowego SMD (Surface Mounted Device). Omówiono podstawowe parametry zastosowanych matryc detektorów promieniowania podczerwonego oraz ich wpływ na wykonywany pomiar. Zestawiono omawiane matryce pod względem wykorzystywanych zjawisk oraz omówiono wykorzystywane zjawiska. Przedstawiono również układ optyczny stosowany we współczesnych długofalowych kamerach termowizyjnych. Zaproponowano takie ustawienia układu optycznego, które pozwolą na uzyskanie wystarczającej ostrości obrazu.
This article presents solutions available on the market used in long-wave infrared cameras that allow observation of elements enclosed in housings designed for SMD (Surface Mounted Device). The basic parameters of the applied infrared radiation detector matrices and their influence on the measurement are discussed. The matrices and the phenomena used by them are written. The optical system used in modern long-wave thermovision cameras is also presented. The settings of optical system that will allow obtain a sufficient image sharpness have been proposed.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018, 96; 83-94
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Teoretyczna analiza właściwości heterozłącza pP⁺ w temperaturze pokojowej za pomocą zaawansowanej symulacji komputerowej
Theoretical analysis of near-room temperature pP⁺ HgCdTe heterojunction using an advanced numerical method
Autorzy:
Gawron, W.
Jóźwikowski, K.
Kopytko, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/210677.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
detektory podczerwieni
HgCdTe
heterozłącza
infrared detectors
heterojunctions
Opis:
Artykuł przedstawia wyniki obliczeń teoretycznych parametrów heterozłącza pP⁺ w temperaturze pokojowej wykonanych za pomocą zaawansowanej symulacji komputerowej. Dla porównania przedstawiono także wyniki obliczeń parametrów heterozłącza N⁺p. Wszystkie obliczenia wykonane są dla temperatury 300 K przy oświetlaniu złącza od strony obszaru silnie domieszkowanego promieniowaniem o długości fali 10,6 µm. Wykorzystano oryginalne metody i programy komputerowe opracowane w Zakładzie Fizyki Ciała Stałego.
We report on the results of theoretical calculation of near-room temperature HgCdTe pP⁺ heterojunction. The calculated parameters of pP⁺ junction were compared with parameters of N⁺p junction. All the analyses were done under 300 K temperatures after illuminating the structure from a highly doped layer by the light with a wavelength of 10.6 µm. We have taken advantage of original methods of numerical simulation using computer programmes prepared at the Institute of Applied Physics.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2011, 60, 4; 161-176
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mid-wave InAs/GaSb superlattice barrier infrared detectors with nBnN and pBnN design
Autorzy:
Gomółka, E.
Markowska, O.
Kopytko, M.
Kowalewski, A.
Martyniuk, P.
Rogalski, A.
Rutkowski, J.
Motyka, M.
Krishna, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201992.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
InAs/GaSb type-II superlattices
infrared detectors
barrier detectors
nBn detector
p-i-n detector
InAs
GaSb
detektory podczerwieni
detektor bariery
detektor nBn
detektory p-i-n
Opis:
We present an investigation of optical and electrical properties of mid-wavelength infrared (MWIR) detectors based on InAs/GaSb strained layer superlattices (SLs) with nBnN and pBnN design. The temperature-dependent behavior of the bandgap was investigated on the basis of absorption measurements. A 50% cut-off wavelength of around 4.5 μm at 80 K and increase of up to 5.6 μm at 290 K was found. Values of Varshni parameters, zero temperature bandgap E0 and empirical coefficients α and β were extracted. Arrhenius plots of dark currents of nBnN and pBnN detectors were compared with the p-i-n design. Dark current density reduction in nBnN and pBnN detectors is observed in comparison to the p-i-n device. This shows a suppression of Shockley-Read-Hall (SRH) processes by means of introducing barrier architecture.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2018, 66, 3; 317-323
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Metoda stabilizacji termicznej czułości układu detekcyjnego z niechłodzonym fotorezystorem PbSe
Method of thermal stabilization of noncooled photoresistor PbSe
Autorzy:
Młodzianko, A.
Zygmunt, M.
Knysak, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/208575.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
fotorezystor PbSe
detekcja
podczerwień
stabilizacja termiczna
detektory podczerwieni
PbSe photoresistor
stabilization
IR detection
IR photodetectors
Opis:
W artykule przedstawiono metodę stabilizacji termicznej czułości układu detekcyjnego dla zakresu spektralnego podczerwieni MIDIR 2-5 μm z wykorzystaniem fotorezystora wykonanego w technologii PbSe bez układów chłodzących. Zaprezentowano również wyniki badań termicznych czułości detektorów różnych producentów oraz realizację praktyczną układu detekcyjnego wraz z wynikami badań temperaturowych.
A method of thermal responsivity compensation of 1-5 μm detection system with uncooled PbSe photoresistor has been presented. It includes theoretical description and experimental results of thermal measurements.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 1; 193-205
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Detektory podczerwieni z supersieci II rodzaju układu InAs/GaInSb
Type-II InAs/GaInSb superlattices for infrared photodetectors
Autorzy:
Gawron, W.
Rogalski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/209342.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
detektory podczerwieni
kwantowe efekty rozmiarowe
supersieci II rodzaju z InAs/GaInSb
infrared detectors
low dimensional solids
type II InAs/GaInSb superlattices
Opis:
Artykuł przedstawia stan rozwoju nowej generacji detektorów podczerwieni fotodiod z supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb. O ich fundamentalnych właściwościach decydują kwantowe efekty rozmiarowe. Ta nowa tematyka badawcza została podjęta w VIGO System S.A. w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ-MNiSW 02/I/2007. Celem tego zadania jest opracowanie i zbadanie właściwości fotodiod detektorów podczerwieni na bazie supersieci. Podstawę do konstrukcji fotodiod będą stanowić struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ-MNiSW 02/I/2007 realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.
This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This new scientific program has been undertaken in VIGO System S.A. owing to realization of grant 3 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 4; 7-16
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies