- Tytuł:
-
Modelowanie przestrzennego rozkładu pola magnetycznego przetwornika elektromagnetycznego do pomiaru indukcji zewnętrznego pola magnetycznego
Modeling 3D magnetic field of magnetic flux density sensor - Autorzy:
-
Prohuń, T.
Gołębiowski, J. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/157380.pdf
- Data publikacji:
- 2007
- Wydawca:
- Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
- Tematy:
-
MEMS
MOEMS
struktury krzemowe
pomiary indukcji magnetycznej
silicon microstructures
magnetic flux density measurements - Opis:
-
W referacie przedstawiono model czujnika do pomiaru indukcji pola magnetycznego w postaci belki krzemowej z naniesionym płaskim uzwojeniem. Prąd przepływający przez uzwojenie cewki wytwarza strumień oddziałujący z zewnętrznym polem magnetycznym. Koniec belki ulega odkształceniu w kierunku osi z. Kąt ugięcia belki jest miarą indukcji zewnętrznego pola magnetycznego. Model czujnika składa się z belki wykonanej z krzemu monokrystalicznego oraz płaskiego uzwojenia wykonanego z aluminium. Ze względu na wielowarstwową, anizotropową budowę przetwornika do budowy modelu zastosowano metodę elementów skończonych (metodą pól sprzężonych i oprogramowanie COMSOL). W referacie pokazano rozkład przestrzennego pola magnetycznego cewki płaskiej i jego wpływ na zewnętrzne (mierzone) pole magnetyczne. W pracy przedstawiono wyniki symulacji dla różnych wartości parametrów konstrukcyjnych przetwornika w celu uzyskania zakładanej czułości dla wybranego zakresu pomiarowego indukcji zewnętrznego pola magnetycznego.
In the article a magnetic flux density sensor was described. The sensor consist of silicon cantilever and planar coil. Current flowing by the coil produce magnetic flux around the coil. Influence of magnetic flux with external magnetic field causes cantilever deform. The angle of cantilever deformation means external magnetic field induction. The influence of shape and dimensions of planar coil on magnetic energy density was described. In cause of magnetic anisotropy and heterogeneous of analyzed silicon structure the FEM method and couple field method was applied in simulation. - Źródło:
-
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 265-268
0032-4140 - Pojawia się w:
- Pomiary Automatyka Kontrola
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł