Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "LEC" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Primary lymphoepithelial carcinoma of the hypopharynx: an extremely rare non-nasopharyngeal presentation
Autorzy:
Rana, Amit Kumar
Sharma, Rohit
Sharma, Vinit
Agrawal, Tanu
Mehrotra, Ashish
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399280.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Index Copernicus International
Tematy:
Epstein-Barr virus
laryngopharynx lymphoepithelioma
larynx
LEC
pyriform sinus
Opis:
Introduction: A 66-year-old male complained of throat discomfort and odynophagia. Laryngeal fiber optic examination was normal but narrow band imaging was suspicious. USG-FNAC from a cervical lymph node was positive for malignant metastatic carcinoma cells. CECT revealed obliteration of the left pyriform fossa till the level of cricoid cartilage, abutting the ala of the thyroid cartilage, arytenoid cartilage and prevertebral muscles. UGIE revealed an ulcerated mass lesion in the left pyriform fossa. Histopathological examination revealed stratified non-keratinized squamous epithelial lined tissue with subepithelial stroma showing large round to polygonal tumour cells. The tumour cells were surrounded by a lymphoid stroma. On immunohistochemistry the tumour cells were positive for pancytokeratin and negative for CD45, chromogranin and synaptophysin. Lymphocytes were positive for CD45. The diagnosis of lymphoepithelial carcinoma was established. The tumour was inoperable and was treated by radiotherapy. Conclusions: Lymphoepithelial carcinoma is the primary entity of the nasopharynx but rarely seen at sites like oropharynx, larynx and hypopharynx. Only around 50 non-nasopharyngeal cases have been reported till date out of which only 10–12 were in the hypopharynx. Radiotherapy is the mainstay of treatment whereas surgery can be considered for a local disease.
Źródło:
Polski Przegląd Otorynolaryngologiczny; 2020, 9, 4; 67-72
2084-5308
2300-7338
Pojawia się w:
Polski Przegląd Otorynolaryngologiczny
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ cząsteczek wody w B2O3 na właściwości niedomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego
The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single crystals
Autorzy:
Orłowski, W.
Hruban, A.
Mirowska, A.
Strzelecka, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192040.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
InAs
LEC
B2O3
własności elektryczne
electrical properties
Opis:
Opracowano warunki otrzymywania metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową (Liquid Encapsulated Czochralski - LEC) bardzo czystych niedomieszkowanych monokryształów InAs typu n o ruchliwości elektronów μ > 22000 cm ² / Vs i koncentracji elektronów n < 3 x10^16 cm -³ w 300 K. Zbadano wpływ zawartości cząsteczek wody w topniku (B2O3) stosowanym do hermetyzacji stopionego wsadu na parametry elektryczne kryształów oraz na zawartość w nich domieszek resztkowych. Zbadano również wpływ czasu wygrzewania stopionego wsadu przed procesem krystalizacji na własności otrzymanych kryształów.
The aim of this work was to find out technological conditions that allow obtaining high purity undoped InAs single crystals with carrier concentration below 3xl0^16 cm -³ and carrier mobility over 22000 cm ² / Vs. Synthesis by injection method and Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) crystal growth were applied. The influence of water content in B2O3 encapsulant (applied during injection synthesis and LEC growth) on electrical properties of InAs crystals and especially on dopants concentration was investigated. The influence of charge annealing duration before crystallization process on InAs crystals properties was also investigated.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 15-21
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pierwotny nabłoniak chłonny gardła dolnego: niezwykle rzadka prezentacja pozanosogardłowa
Autorzy:
Rana, Amit Kumar
Sharma, Rohit
Sharma, Vinit
Agrawal, Tanu
Mehrotra, Ashish
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399322.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Index Copernicus International
Tematy:
nabłoniak chłonny części krtaniowej gardła
LEC
wirus Epsteina-Barr
zachyłek gruszkowaty
Opis:
Wstęp: 66-letni mężczyzna uskarżał się na dyskomfort gardła i ból przy przełykaniu. Wynik badania fiberoskopowego krtani był prawidłowy, natomiast podejrzenia budził obraz uzyskany z użyciem wąskiej wiązki obrazowania. Uzyskano dodatni wynik badania USG-FNAC pod kątem obecności złośliwych, przerzutowych komórek rakowych. W badaniu tomografii komputerowej szyi z kontrastem uwidoczniono zatarcie lewego zachyłka gruszkowatego do poziomu chrząstki pierścieniowatej, stykające się ze skrzydłami chrząstki tarczowatej, chrząstką nalewkowatą i mięśniami przedkręgowymi. W badaniu endoskopowym GOPP ujawniono obecność owrzodzonej masy w lewym zachyłku gruszkowatym. Badanie histopatologiczne wykazało obecność stratyfikowanej, wyścielonej niezrogowaciałym nabłonkiem płaskokomórkowym tkanki z dużymi kolistymi lub wielokątnymi komórkami nowotworowymi widocznymi w zrębie podnabłonkowym. Komórki nowotworowe były otoczone zrębem limfatycznym. W badaniu immunohistochemicznym komórki nowotworowe dały wynik dodatni dla pancytokeratyny i ujemny dla: CD45, chromograniny i synaptofizyny. Limfocyty dały wynik dodatni dla CD45. Postawiono rozpoznanie raka limfonabłonkowego. Ze względu na nieoperacyjność guza w leczeniu, zastosowano radioterapię. Wnioski: Nabłoniak chłonny jest pierwotnym guzem nosogardzieli, lecz rzadko obserwuje się go w miejscach, takich jak: gardło środkowe, krtań i gardło dolne. Do dzisiaj zgłoszono jedynie około 50 przypadków pozanosogardłowych, w tym jedynie 10–12 zlokalizowanych w gardle dolnym. Podstawą leczenia jest radioterapia, choć w przypadkach zmian miejscowych można rozważać operację chirurgiczną.
Źródło:
Polski Przegląd Otorynolaryngologiczny; 2020, 9, 4; 67-72
2084-5308
2300-7338
Pojawia się w:
Polski Przegląd Otorynolaryngologiczny
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
[310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
Autorzy:
Hruban, A.
Orłowski, W.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Mirowska, A.
Rojek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192032.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
arsenek galu
SI GaAs
metoda Czochralskiego
LEC
orientacja
gallium arsenide
Czochralski method
orientation
Opis:
Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].
The subject matter of this research work included the synthesis and growth conditions of [310]-oriented SI GaAs (semi-insulating gallium arsenide) crystals 2” or 3” in diameter. High pressure processes were applied for the synthesis and growth of LEC crystals. Thermal conditions and process parameters were determined to obtain single crystals 2” and 3” in dia, 2000 g and 3000 g in weight, respectively. They had high electrical parameters (ρ, μ), characteristic of semi-insulating high purity GaAs. Dislocation density (EPD) of [310]-oriented crystals was (0.5 - 1.5) orders of magnitude lower than in the case of the [100]-orientation. Epitaxial layers grown on [310]-oriented substrates exhibited better surface morphology than those deposited on [100]-oriented substrates.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 18-25
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies