- Tytuł:
-
Ocena dokładności firmowego makromodelu tranzystora SiC-JFET
Evaluation of accuracy of SiC-JFET macromodel - Autorzy:
-
Bargieł, K.
Bisewski, D. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/377767.pdf
- Data publikacji:
- 2018
- Wydawca:
- Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
- Tematy:
-
JFET
makromodel
węglik krzemu - Opis:
-
W pracy zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej makromodelu tranzystora
JFET wykonanego z węglika krzemu o symbolu UJN1208K firmy United Silicon
Carbide. Postać makromodelu jest dedykowana dla programu PSPICE i została udostępniona
na stronie internetowej producenta. Oceniono dokładność makromodelu poprzez
porównanie wybranych obliczonych i katalogowych charakterystyk statycznych oraz
charakterystyk C(u) rozważanego tranzystora. Przeanalizowano wpływ temperatury
otoczenia na wymienione charakterystyki tranzystora.
In the paper, the results of experimental verification of the macromodel of UJN1208K JFET transistor made of silicon carbide fabricated by United Silicon Carbide, are presented. The macromodel form dedicated for PSPICE program is available on the manufacturer's website. The accuracy of the macromodel have been evaluated by comparison of selected calculated and measured static characteristics and C-V characteristics of the considered transistor. The influence of ambient temperature on the characteristics of the transistor has been evaluated, as well. - Źródło:
-
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018, 95; 67-76
1897-0737 - Pojawia się w:
- Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł