- Tytuł:
- Influence of AlN Buffer Layer Deposition Temperature οn Properties of GaN HVPE Layers
- Autorzy:
-
Prażmowska, J.
Korbutowicz, R.
Wośko, M.
Paszkiewicz, R.
Kovač, J.
Srnanek, R.
Tłaczała, M. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/1807541.pdf
- Data publikacji:
- 2009-12
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Tematy:
-
81.10.Bk
81.15.Gh
81.15.Kk - Opis:
- Gallium nitride layers were deposited on AlN and double layer (AlN/AlGaN) buffers grown at various temperatures on $Al_{2}O_{3}$. Stress in layers was evaluated based on the Raman scattering and photoluminescence measurements. The obtained values were less than 1 GPa.
- Źródło:
-
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-123-S-125
0587-4246
1898-794X - Pojawia się w:
- Acta Physica Polonica A
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł