Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Piotrowska, E" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Investigation of Porous Zn Growth Mechanism during Zn Reactive Sputter Deposition
    Autorzy:
    Borysiewicz, M.
    Wojciechowski, T.
    Dynowska, E.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1198573.pdf
    Data publikacji:
    2014-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    52.70.-m
    81.15.Cd
    77.55.hf
    81.10.Pq
    52.27.Cm
    Opis:
    Ar-O-Zn plasma discharges created during DC reactive magnetron sputtering of a Zn target and RF reactive magnetron sputtering of a ceramic ZnO target were investigated and compared by means of the Langmuir probe measurements in order to determine the mechanism of growth of porous Zn films during DC-mode Zn reactive sputtering. The power supplied to the magnetrons during the sputtering was kept at 125 W and the plasma was characterised as a function of oxygen content in the sputtering gas mixture, ranging from 0 to 60% for two gas pressures related to porous Zn film deposition, namely 3 mTorr and 5 mTorr. Based on the correlation of plasma properties measurements with scanning electron microscope imaging and X-ray diffraction of the films deposited under selected conditions it was found that the growth of porous, polycrystalline Zn films was governed by high electron density in the plasma combined with a high electron temperature and an increased energy of the ions impinging on the substrate.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 5; 1144-1148
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fabrication and Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Material and Transistors
    Autorzy:
    Kaczmarski, J.
    Taube, A.
    Dynowska, E.
    Dyczewski, J.
    Ekielski, M.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399114.pdf
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Gc
    81.15.Cd
    85.30.Tv
    72.80.Ng
    73.61.Jc
    Opis:
    In-Ga-Zn-O thin films were fabricated by means of reactive RF magnetron sputtering. Mechanism of free electrons generation via oxygen vacancies formation is proposed to determine the relationship between oxygen content in the deposition atmosphere and the transport properties of IGZO thin films. The depletion-mode a-IGZO thin film transistor with field-effect mobility of $12 cm^2/(Vs)$ has been demonstrated.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 855-857
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    ZnO Thin Films Deposited on Sapphire by High Vacuum High Temperature Sputtering
    Autorzy:
    Borysiewicz, M. A.
    Pasternak, I.
    Dynowska, E.
    Jakieła, R.
    Kolkovski, V.
    Dużyńska, A.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048109.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Dz
    81.15.Cd
    61.05.cp
    68.37.Hk
    68.37.Ps
    68.49.Sf
    78.55.Et
    Opis:
    ZnO (0001) layers on sapphire (0001) substrates were fabricated by means of high temperature high vacuum magnetron sputtering. The layers were deposited onto a thin MgO buffer and a low temperature ZnO nucleation layer, which is a technology commonly used in MBE ZnO growth. This paper reports on using this technology in the sputtering regime.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 686-688
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High Quality Gate Insulator/GaN Interface for Enhancement-Mode Field Effect Transistor
    Autorzy:
    Taube, A.
    Kruszka, R.
    Borysiewicz, M.
    Gierałtowska, S.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492515.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    77.55.dj
    77.22.Ch
    73.40.Qv
    81.15.Gh
    81.15.Cd
    Opis:
    The capacitance-voltage measurements were applied for characterization of the semiconductor/dielectric interface of GaN MOS capacitors with $SiO_2$ and $HfO_2//SiO_2$ gate stacks. From the Terman method low density of interface traps $(D_{it} \approx 10^{11} eV^{-1} cm^{-2})$ at $SiO_2//GaN$ interface was calculated for as-deposited samples. Samples with $HfO_2//SiO_2$ gate stacks have higher density of interface traps as well as higher density of mobile charge and effective charge in the dielectric layers. High quality of $SiO_2//GaN$ interface shows applicability of $SiO_2$ as a gate dielectric in GaN MOSFET transistors.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-022-A-024
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies