Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Płaczek, J." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Impedance Spectroscopy of Au-CdTe:Ga Schottky Contacts
Autorzy:
Płaczek-Popko, E.
Trzmiel, J.
Gumienny, Z.
Wojtyna, E.
Szatkowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811971.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
85.30.De
84.37.+q
Opis:
The dielectric response of Au-CdTe gallium doped Schottky contacts was investigated by impedance spectroscopy in the frequency range from 0.2 Hz to 3 MHz, at temperatures in the range from 77 K to 300 K. Combined modulus and impedance spectroscopic plots were analyzed to study the response of the structure. The data were fitted with the simple RC circuit composed of a depletion layer capacitance in parallel with resistance and a series resistance of the bulk CdTe:Ga. The activation energy of the bulk trap obtained from the Arrhenius plot of the resistance was found to be equal to 0.08 eV, close to the value 0.09 eV obtained from the impedance-modulus spectroscopy. The trap dominant in CdTe:Ga is possibly the DX center related, as it has been observed that this is the dominant trap in the material.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1279-1283
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical Characterization of Defects in Schottky Au-CdTe:Ga Diodes
Autorzy:
Dyba, P.
Płaczek-Popko, E.
Zielony, E.
Gumienny, Z.
Szatkowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791359.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
85.30.De
84.37.+q
Opis:
Deep electron states in gallium doped CdTe have been studied by deep-level transient spectroscopy method. The Schottky Au-CdTe diodes were processed to perform the investigations. Rectifying properties of diodes have been examined by the room temperature current-voltage and capacitance-voltage measurements. Deep-level transient spectroscopy measurements performed in the range of temperatures 77-350 K yield the presence of three electron traps. The thermal activation energies and apparent capture cross-sections have been determined from related Arrhenius plots. The dominant trap of activation energy $E_2$ = 0.33 eV and capture cross-section σ_2 = 3 × $10^{-15} cm^2$ has been assigned to the gallium related DX center present in the CdTe material.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 944-946
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies