Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Reszka, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Swift $Xe^{26+}$ Ion Irradiation Effect on Luminescent Properties of Undoped and Cd-Doped ZnO Films
Autorzy:
Myroniuk, D.
Lashkarev, G.
Shtepliuk, I.
Skuratov, V.
Reszka, A.
Kowalski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376457.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
78.60.Hk
Opis:
Here we report the effect of the irradiation by 167 MeV $Xe^{26+}$ ions (in the fluence range up to 3× $10^{12}$ ions/$cm^2$) on the undoped and Cd-doped (0.4, 0.5 at.%) ZnO films deposited by radiofrequency magnetron sputtering. As-grown and irradiated samples were investigated by cathodoluminescence spectroscopy. It was found that the radiation causes a decrease in intensity of luminescent peaks and a redistribution of the radiative recombination channels. We revealed that the cadmium incorporation into ZnO lattice enhances the radiation resistance of ZnO film.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1199-1202
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Enhancement of the Ultraviolet Luminescence Intensity from Cd-Doped ZnO Films Caused by Exciton Binding
Autorzy:
Shtepliuk, I.
Lashkarev, G.
Khyzhun, O.
Kowalski, B.
Reszka, A.
Khomyak, V.
Lazorenko, V.
Timofeeva, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492932.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
78.67.Bf
81.05.Dz
81.07.Bc
Opis:
ZnO films doped with the cadmium (0.4-0.6%) were grown on crystalline sapphire $c-Al_2O_3$ substrates applying radiofrequency magnetron sputtering at the temperature of 400°C in $Ar-O_2$ atmosphere. The as-grown films were investigated in detail using X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, and cathodoluminescence spectra. The X-ray diffraction analysis revealed that the films possess a hexagonal wurtzite-type structure with the dominant crystallite orientation along the c axis. It was found that the small concentration of the cadmium significantly enhances the ultraviolet emission associated with excitonic transitions. We suggest that this enhancement effect mainly results from appearance of the cadmium isoelectronic traps, which may bind an exciton, thereby increasing the probability of radiation recombination. The effect of Cd isoelectronic impurity on structural and luminescent properties of ZnO films is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 914-917
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies