Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "L.N." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Optical Properties and Photoemission of Microrelief Surfaces of III-V Semiconductors
    Autorzy:
    Dmitruk, N. L.
    Mamikin, S. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1931741.pdf
    Data publikacji:
    1994-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    68.35.Bs
    78.30.Fs
    Opis:
    The optical properties (infrared reflectance) and the photoemission current for the surface-barrier structures of metal-semiconductor type with microrelief interface have been investigated. The participation of surface plasmon polaritons in internal photoemission of the Au-GaAs Schottky barriers has been observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 5; 811-815
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Infrared Lateral Photoconductivity of InGaAs Quantum Dots: the Temperature Dependence
    Autorzy:
    Moldavskaya, L. D.
    Shashkin,, V. I.
    Drozdov,, M. N.
    Daniltsev, V. M.
    Antonov, A. V.
    Yablonsky, A. N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036025.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Fs
    78.55.Cr
    78.66.Fd
    Opis:
    We report the temperature dependence of lateral infrared photoconductivity in multilayer InGaAs/GaAs heterostructures with selectively doped quantum dots fabricated by metalorganic chemical vapor deposition. Two spectral lines of normal-inci dence intersubband photoconductivity (90 meV and 230 meV) and a line originating from interband transitions (930 meV) were observed. The photoconductivity line 230 meV is revealed up to the temperature 140 K. The long-wavelength photoconductivity line 90 meV is quenched rapidly at the temperature 30÷40 K owing to redistribution of photoexcited carriers between small and large dots. The obtained results confirm the hypothesis about bimodal distribution of quantum dot sizes.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 579-584
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deterministic Periodical and Quasiperiodical Surfaces of III-V Compounds: Preparation, Investigations and Applications
    Autorzy:
    Dmitruk, N. L.
    Mayeva, O. I.
    Yastrubchak, O. B.
    Beketov, G. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1969052.pdf
    Data publikacji:
    1998-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.35.Bs
    73.40.Ns
    78.30.Fs
    Opis:
    Autocorrelation functions for rough (random, quasiperiodical and deterministicperiodical) surfaces are deduced from the surface profiles determined by using the line-by-line analysis of atomic force microscopy images. It is shown that the initial parts of autocorrelation functions have a Gaussian form. An attempt to use the concept of fractal as a bridge between deterministic periodic and random (spontaneous) surfaces including quasiperiodic ones have been made.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 285-290
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Light Absorption and Photoluminescence in Quantum Dots and Artificial Molecules
    Autorzy:
    Firsov, D.
    Vorobjev, L.
    Panevin, V.
    Fedosov, N.
    Shalygin, V.
    Samsonenko, J.
    Tonkikh, A.
    Cirlin, G.
    Andreev, A.
    Kryzhanovskaya, N.
    Tarasov, I.
    Pikhtin, N.
    Ustinov, V.
    Hanna, S.
    Seilmeier, A.
    Julien, F.
    Zakharov, N.
    Werner, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041673.pdf
    Data publikacji:
    2005-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Fs
    Opis:
    Intraband absorption in n- and p-doped structures with InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs layers is studied both experimentally and theoretically. The absorption cross-section for p-type quantum dots was found to be significantly smaller than that for n-type quantum dots. Interband absorption bleaching under strong interband excitation is found and investigated in undoped quantum dot structures. Structures with artificial molecules were grown. Photoluminescence spectra and transmission electron microscopy images proves the presence of coupled symmetrical quantum dots.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 158-162
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hight-Field Submillimeter Magneto-Spectroscopy on Hg(Fe)Se
    Autorzy:
    Portugall, O.
    Von Ortenberg, M.
    Yokoi, H.
    Takeyama, S.
    Miura, N.
    Van Bockstal, L.
    Herlach, F.
    Dobrowolski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1886979.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Fs
    Opis:
    Magnetooptical phenomena in the zero-gap semimagnetic semiconductor Hg(Fe)Se are studied by various techniques in pulsed magnetic fields up to 150 T. Microscopical parameters are estimated in combination with results obtained from transport and magnetization measurements.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 363-367
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Enhancement of Intersubband Absorption in GaInN/AlInN Quantum Wells
    Autorzy:
    Cywiński, G.
    Skierbiszewski, C.
    Siekacz, M.
    Kryśko, M.
    Feduniewicz-Żmuda, A.
    Gladysiewicz, M.
    Kudrawiec, R.
    Misiewicz, J.
    Nevou, L.
    Kheirodin, N.
    Julien, F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811923.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Fs
    78.67.De
    68.65.Fg
    73.21.Fg
    81.15.Hi
    Opis:
    GaInN/AlInN multiple quantum wells were grown by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) GaN/sapphire substrates. The strain-engineering concept was applied to eliminate cracking effect and to improve optical parameters of intersubband structures grown on GaN substrates. The high quality intersubband structures were fabricated and investigated as an active region for applications in high-speed devices at telecommunication wavelengths. We observed the significant enhancement of intersubband absorption with an increase in the barrier thickness. We attribute this effect to the better localization of the second electron level in the quantum well. The strong absorption is very important on the way to intersubband devices designed for high-speed operation. The experimental results were compared with theoretical calculations which were performed within the electron effective mass approximation. A good agreement between experimental data and theoretical calculations was observed for the investigated samples.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1093-1099
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies