Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Łepkowski, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Symmetry of the Top Valence Band States in GaN/AlGaN Quantum Wells and its Influence on the Polarization of Emitted Light
Autorzy:
Bardyszewski, W.
Łepkowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492909.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.40.Fy
78.20.Bh
78.30.Fs
Opis:
We show theoretically that for narrow GaN/AlGaN quantum wells, lattice matched to GaN substrate/buffer and grown along the (0001) crystallographic direction the topmost valence subband symmetry depends critically on such parameters as quantum well thickness and barrier composition. This effect determines polarization of the emitted light. It is noted that the symmetry of the topmost valence band level is sensitive to the values of the $D_3$ and $D_4$ deformation potentials and can be employed in verification of existing literature values of these parameters.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 894-896
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of the Built-In Strain on the In-Plane Optical Anisotropy of m-Plane GaN/AlGaN Quantum Wells
Autorzy:
Łepkowski, S.
Bardyszewski, W.
Teisseyre, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492913.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.40.Fy
78.20.Bh
78.30.Fs
Opis:
We study theoretically the influence of the anisotropic biaxial strain originating from the lattice mismatch between the m-plane GaN/AlGaN quantum wells structure and the substrate on the optical anisotropy of such systems. It is demonstrated that the oscillator strengths for optical transitions with polarization of light parallel and perpendicular to the crystal axis c strongly depend on strain to such an extent that, by increasing the concentration of Al in the substrate from x = 0 to x = 0.5 one can change the polarization of the emitted light with respect to the c-axis by 90 degrees.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 897-898
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pressure Dependence of Exciton Binding Energy in GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1 - x}$N Quantum Wells
Autorzy:
Bardyszewski, W.
Łepkowski, S. P.
Teisseyre, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048086.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.40.Fy
78.20.Bh
78.30.Fs
Opis:
We present a theoretical study of excitons in GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1 - x}$N wurtzite (0001) quantum wells subjected to hydrostatic pressure. Our results show that the combined effect of pressure induced changes in band structure and piezoelectric field leads to reduction of the exciton binding energy. This subtle effect is described quite accurately by our multiband model of excitons in quantum wells.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 663-665
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies