Pressure Dependence of Exciton Binding Energy in GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1 - x}$N Quantum Wells - Katalog OPAC zbiorów

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Pressure Dependence of Exciton Binding Energy in GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1 - x}$N Quantum Wells
Autorzy:: Bardyszewski, W.
Łepkowski, S. P.
Teisseyre, H.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2048086.pdf
Data publikacji:: 2011-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.40.Fy
78.20.Bh
78.30.Fs
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 663-665
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We present a theoretical study of excitons in GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1 - x}$N wurtzite (0001) quantum wells subjected to hydrostatic pressure. Our results show that the combined effect of pressure induced changes in band structure and piezoelectric field leads to reduction of the exciton binding energy. This subtle effect is described quite accurately by our multiband model of excitons in quantum wells.

Informacja

Pressure Dependence of Exciton Binding Energy in GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1 - x}$N Quantum Wells

Powiązane pozycje