Autor: Stępniewski, A. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Light Induced Modification of Graphene Oxide Layers on GaN Basis
Autorzy:: Łopion, A.
Stobiński, L.
Pakuła, K.
Bożek, R.
Kaźmierczak, P.
Wysmołek, A.
Stępniewski, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1185429.pdf
Data publikacji:: 2016-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.22.-f
78.55.-m
78.30.-j
07.05.Kf
Opis:: Graphene oxide suspension in various solvents was spin coated on metal organic vapor phase epitaxy grown GaN/saphire layers. Samples were characterised using the Raman spectroscopy and atomic force microscopy, before and after high temperature treatment. We found that graphene oxide was modifed by high temperature treatment, however a considerable modification was also observed as a result of impinged laser light incident due to the measurements. The Raman spectra were decomposed into two contributions showing different behaviour during the Raman scattering measurements.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1169-1171
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Infrared Optical and X-Ray Determination of Parameters for MOVPE Grown InAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$ Epilayers
Autorzy:: Marszałek, B.
Zielińska-Rohozińska, E.
Bożek, R.
Stępniewski, R.
Witowski, A. M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968371.pdf
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.20.-b
78.20.-e
78.30.-j
Opis:: The experimental room-temperature transmission of metalorganic vapour phase epitaxy grown InAsSb epilayers is compared with calculations based on a Kane model of the band structure. The band structure parameters are found. The composition of the samples was determined by X-ray diffraction.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 919-922
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Raman Piezospectroscopy of Phonons in Bulk 6H-SiC
Autorzy:: Grodecki, K.
Wysmołek, A.
Stępniewski, R.
Baranowski, J.
Hofman, W.
Tymicki, E.
Grasza, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1791360.pdf
Data publikacji:: 2009-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 62.50.-p
42.65.Dr
63.20.-e
78.30.-j
Opis:: Raman piezospectroscopy of high quality 6H-SiC crystals is presented. The crystals used in experiments were grown by the seeded physical vapor transport method. Uniaxial stress up to 0.9 MPa, obtained using a spring apparatus, was applied along [11-20] and [10-10] directions. It was found that the application of uniaxial stress led to different energy shifts of the observed phonon excitations in the investigated 6H-SiC crystals. The obtained pressure coefficients vary in the range 0.98-5.5 $cm^{-1}$ $GPa^{-1}$ for different transverse optical phonon modes. For longitudinal optic phonon modes pressure coefficients in the range 1.6-3.6 $cm^{-1}$ $GPa^{-1}$ were found. The data obtained could be useful in evaluation of local strain fields in SiC based structures and devices including epitaxial graphene.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 947-949
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja