Infrared Optical and X-Ray Determination of Parameters for MOVPE Grown InAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$ Epilayers

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Infrared Optical and X-Ray Determination of Parameters for MOVPE Grown InAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$ Epilayers
Autorzy:: Marszałek, B.
Zielińska-Rohozińska, E.
Bożek, R.
Stępniewski, R.
Witowski, A. M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968371.pdf
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.20.-b
78.20.-e
78.30.-j
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 919-922
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The experimental room-temperature transmission of metalorganic vapour phase epitaxy grown InAsSb epilayers is compared with calculations based on a Kane model of the band structure. The band structure parameters are found. The composition of the samples was determined by X-ray diffraction.

Informacja

Powiązane pozycje