Autor: Godlewski, Z. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: AlGaAs to GaAs Energy Transfer Mechanisms in AlGaAs/GaAs Structures
Autorzy:: Karpińska, K.
Godlewski, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Chen, W. M.
Weber, E. R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1921617.pdf
Data publikacji:: 1992-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.20.Jv
76.70.Hb
78.55.Cr
Opis:: The results of photoluminescence and optically detected cyclotron resonance experiments are presented for thick AlGaAs epilayers grown by liquid phase electroepitaxy method on GaAs:Cr substrate. These results indicate an efficient energy transfer from excited AlGaAs to GaAs.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 713-716
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Mechanism of Radiative Mn$\text{}^{2+}$ Intra-Shell Recombination in Bulk ZnMnS
Autorzy:: Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Yatsunenko, S.
Khachapuridze, A.
Li, M. S.
Gołacki, Z.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2027501.pdf
Data publikacji:: 2001-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:: Origin of a fast component of the photoluminescence decay of Mn$\text{}^{2+}$ intra-shell $\text{}^{4}$T$\text{}_{1}$ → $\text{}^{6}$A$\text{}_{1}$ transition is discussed based on the results of photoluminescence, photoluminescence kinetics and optically detected magnetic resonance experiments performed for bulk ZnMnS samples with about 1% Mn fraction. It is demonstrated that a fast component of the photoluminescence decay, reported previously for quantum dot structure and related to quantum confinement effects, is also observed in bulk samples and is related by us to very efficient spin cross-relaxation effects.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 351-355
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Spin Dependent Interactions of Free Carriers and Manganese Ions in Nanostructures of Wide Band Gap II-Mn-VI Semiconductors - Mechanism of Lifetime Reduction
Autorzy:: Yatsunenko, S.
Khachapuridze, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Khoi, Le Van
Gołacki, Z.
Karczewski, G.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2036034.pdf
Data publikacji:: 2003-06
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:: Based on the results of optically detected magnetic resonance and time-resolved investigations we relate the observed lifetime shortening of intra-shell Mn$\text{}^{2+}$ emission to spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and spins/magnetic moments of free carriers. We show that this mechanism is active in both bulk and in low dimensional structures, such as quantum wells, quantum dots, and nanostructures.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 643-648
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja