Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ivanov, A.V." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Comparison of Microscopic Mechanisms of Blue Anti-Stokes Luminescence in Undoped and Chromium Doped ZnSe Crystals
Autorzy:
Ivanov, V. Yu.
Omel'chuk, A.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991537.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
78.55.Et
76.30.Fc
Opis:
Anti-Stokes luminescence is observed in chromium doped and in undoped ZnSe crystals. In the former case anti-Stokes luminescence is due to two complementary ionization transitions of Cr ions. In the latter case two-photon absorption becomes important at a high excitation density.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 365-368
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Role of Auger-Type Energy Transfer Processes in Quenching of Anti-Stokes Emission in Chromium and Iron Doped ZnSe: ODMR, Optical and Time-Resolved Study
Autorzy:
Ivanov, V. Yu.
Karczewski, G.
Godlewski, M.
Omel'chuk, A. R.
Belyaev, A. E.
Zhavoronkov, N. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036871.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
78.55.Et
76.30.Fc
Opis:
Energy up-conversion in chromium and iron doped ZnSe results in the appearance of an anti-Stokes luminescence. The process is efficient in ZnSe:Cr, but not in ZnSe:Fe. We conclude that very efficient three-center Auger processes in ZnSe:Fe quench the anti-Stokes luminescence emission. For chromium doped samples influence of the Auger mechanism is weaker, which we explain by less efficient carrier retrapping by Cr ions. We further discuss possibility of efficient pumping of infrared Cr-related emissions via Cr photoionization transition.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 695-701
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mechanism of Radiative Mn$\text{}^{2+}$ Intra-Shell Recombination in Bulk ZnMnS
Autorzy:
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Yatsunenko, S.
Khachapuridze, A.
Li, M. S.
Gołacki, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2027501.pdf
Data publikacji:
2001-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
Origin of a fast component of the photoluminescence decay of Mn$\text{}^{2+}$ intra-shell $\text{}^{4}$T$\text{}_{1}$ → $\text{}^{6}$A$\text{}_{1}$ transition is discussed based on the results of photoluminescence, photoluminescence kinetics and optically detected magnetic resonance experiments performed for bulk ZnMnS samples with about 1% Mn fraction. It is demonstrated that a fast component of the photoluminescence decay, reported previously for quantum dot structure and related to quantum confinement effects, is also observed in bulk samples and is related by us to very efficient spin cross-relaxation effects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 351-355
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Origin of Ultrafast Component of Photoluminescence Decay in Nanostructures Doped with Transition Metal or Rare-Earth Ions
Autorzy:
Godlewski, M.
Yatsunenko, S.
Ivanov, V. Yu.
Khachapuridze, A.
Świątek, K.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041630.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
Bulk samples, layers, quantum well, and quantum dot structures of II-Mn-VI samples all show coexistence of slow and fast components of Mn$\text{}^{2+}$ photoluminescence decay. Thus, fast photoluminescence decay cannot be related to low dimensionality of a host material. This also means that the model of the so-called quantum confined atom is incorrect. Based on the results of time-resolved photoluminescence and optically detected magnetic resonance investigations we relate the observed lifetime decrease in Mn$\text{}^{2+}$ intra-shell transition to spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and between Mn$\text{}^{2+}$ ions and spins/magnetic moments of free carriers. The latter mechanism is enhanced in nanostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 65-74
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spin Dependent Interactions of Free Carriers and Manganese Ions in Nanostructures of Wide Band Gap II-Mn-VI Semiconductors - Mechanism of Lifetime Reduction
Autorzy:
Yatsunenko, S.
Khachapuridze, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Khoi, Le Van
Gołacki, Z.
Karczewski, G.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036034.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
Based on the results of optically detected magnetic resonance and time-resolved investigations we relate the observed lifetime shortening of intra-shell Mn$\text{}^{2+}$ emission to spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and spins/magnetic moments of free carriers. We show that this mechanism is active in both bulk and in low dimensional structures, such as quantum wells, quantum dots, and nanostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 643-648
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies