Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Jablonski, R." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Electron Spin Resonance Study of Nd$\text{}^{3+}$ and Er$\text{}^{3+}$ Ions in YAlO$\text{}_{3}$
Autorzy:
Jabłoński, R.
Frukacz, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1945633.pdf
Data publikacji:
1996-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.30.-v
61.72.-y
42.70.Hj
Opis:
In this paper we present the results of ESR and photo-ESR measurements on YAlO$\text{}_{3}$(YAP) single crystals and powder samples doped purposely with about 1 at.% Nd$\text{}^{3+}$ and undoped crystals in which Er$\text{}^{3+}$ was observed as residual dopant. The ESR measurements were carried out at X-band spectrometer in 4-300 K temperature range. The photo-ESR was performed at 5 K using a mercury arc lamp. For the Nd$\text{}^{3+}$ doped crystals the intensity of ESR signal decreased about 2 times during illumination conditions. Moreover, the calculations of the g tensor and A hyperfine structure parameters for Nd$\text{}^{3+}$ and Er$\text{}^{3+}$ were carried out.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 2; 339-343
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron Spin Resonance Spectra of Fe$\text{}^{3+}$ Ions in SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ High-T$\text{}_{c}$ Substrates
Autorzy:
Jabłoński, R.
Pajączkowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964358.pdf
Data publikacji:
1997-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.30.-v
61.72.Hh
Opis:
New results concerning paramagnetic defects in SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ high-T$\text{}_{c}$ substrates connected with unavoidable impurity Fe$\text{}^{3+}$ are reported. The identification was checked by measuring the spectra in SrLaAlO$\text{}_{4}$ crystals intentionally doped with 0.5 at.% Fe. Angular dependences of three lines were distinguished at X-band frequency in the temperature range from 4 K to 300 K. We attribute these lines to the transitions inside the doublets ±1/2, and "forbidden" doublets ±3/2, ±5/2, respectively. By diagonalization of spin-Hamiltonian, parameters |D| > 1.2 cm$\text{}^{-1}$, |E| ≈ 0.1 cm$\text{}^{-1}$ and g$\text{}_{x}$=g$\text{}_{y}$=g$\text{}_{z}$= 1.987(13) for SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ were calculated and within the margin of error they were of the same value.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 1; 173-176
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron Spin Resonance Study of Thermal Defects in SrLaAlO$\text{}_{4}$ and SrLaGaO$\text{}_{4}$ High-T$\text{}_{c}$ Substrates
Autorzy:
Jabłoński, R.
Gloubokov, A.
Pajączkowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964356.pdf
Data publikacji:
1997-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.30.-v
61.72.Hh
61.72.Ji
Opis:
The effect of annealing SrLaAlO$\text{}_{4}$ (SLA) and SrLaGaO$\text{}_{4}$ (SLG) crystals in oxidizing and reducing atmospheres in the temperature range of 950°C-1300°C was investigated. Three kinds of anisotropic defects D$\text{}_{1}$, D$\text{}_{2}$, and E at the temperature range of 4-300 K were found. By diagonalization of orthorhombic spin-Hamiltonian parameters: |D|=0.0541(10) cm$\text{}^{-1}$, |E|=0.0108(10) cm$\text{}^{-1}$, g$\text{}_{∥}$=0.883(5), and g$\text{}_{⊥ }$=1.922(5) for D$\text{}_{1}$ defects for SLG and SLA were calculated and they had the same values within the margin of error.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 1; 169-172
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies