Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Karczewski, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    The Dynamic Dielectric Function "Anomaly" for HgSe:Ga and HgSe:Fe
    Autorzy:
    Szuszkiewicz, W.
    Karczewski, G.
    Jeżewski, M.
    Witkowska, B.
    Mycielski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1887004.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    78.20.Ci
    78.30.Fs
    Opis:
    Reflectivity spectra of HgSe crystals highly doped with Ga and Fe, respectively, were investigated in the spectral region close to the absorption edge at temperatures between 12 K and 295 K. From the analysis of the structure observed in reflectivity the temperature dependence of the Fermi energy was determined for both kinds of crystals.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 369-372
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Exciton Dynamics in ZnTe Based Semimagnetic Semiconductors and CdMnTe Quantum Wells
    Autorzy:
    The Khoi, Nguyen
    Gaj, J.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Kossut, J.
    Demianiuk, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952068.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    78.66.Hf
    73.20.Dx
    Opis:
    Inelastic scattering of excitons on LO phonons in ZnTe based bulk semimagnetic semiconductors with low concentration of paramagnetic ions (Mn$\text{}^{2+}$, Fe$\text{}^{2+}$ and Cr$\text{}^{2+}$) was studied. A polarization degree of the LO phonon Raman lines was measured as a function of the exciton splitting in a magnetic field, and allowed us to determine the polarization lifetime (polariton flight time). A similar method was used to investigate multiple Mn$\text{}^{2+}$ spin-flip scattering in CdMnTe quantum well. The cascade model seems to be not adequate to interpret the dependence of the polarization degree on the order of scattering.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 899-902
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Characterization of MBE-Grown Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Layers by Raman Spectroscopy
    Autorzy:
    Szuszkiewicz, W.
    Dynowska, E.
    Janik, E.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Kossut, J.
    Jouanne, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1945228.pdf
    Data publikacji:
    1996-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    63.20.-e
    75.50.Pp
    78.30.-j
    Opis:
    In this paper we discuss a possibility of an optical characterization of thin semiconductor epilayers by Raman scattering measurements. As an example zinc blende Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te epilayers (0.66 ≤ x ≤ 1.0) have been grown by molecular beam epitaxy method and investigated by Raman scattering and X-ray diffraction. Information resulting from both methods is compared and discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 3; 335-340
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cubic MnTe - Growth by Molecular Beam Epitaxy and Basic Structural Characterization
    Autorzy:
    Zakrzewski, A.
    Janik, E.
    Dynowska, E.
    Leszczyński, M.
    Kutrowski, M.
    Wojtowicz, T.
    Karczewski, G.
    Bąk-Misiuk, J.
    Domagała, J.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873112.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    68.55.Bd
    68.55.Jk
    Opis:
    We report on growth by molecular beam epitaxy of thick layers of MnTe with zinc blende structure. Films as thick as 5.6 µm were obtained. Characterization by X-ray diffraction proved their good structural quality. We determined the lattice constant and its temperature dependence. Broad luminescence due to internal Mn$\text{}^{2+}$- transitions was observed. It showed an unexpected temperature dependence.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 433-436
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Half-Parabolic Quantum Wells of Diluted Magnetic Semiconductor Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te
    Autorzy:
    Kutrowski, M.
    Wojtowicz, T.
    Cywiński, G.
    Karczewski, G.
    Janik, E.
    Dynowska, E.
    Kossut, J.
    Kossacki, P.
    Fiederling, R.
    Pfeuffer-Jeschke, A.
    Ossau, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968307.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    78.66.Hf
    Opis:
    We report on magnetooptical studies of MBE-grown half-parabolic CdTe/Cd$\text{}_{x}$Mn$\text{}_{1-x}$Te quantum well structures. The value of the valence band offset Q$\text{}_{v}$=0.4 ± 0.05 was determined by comparing energies of optical transitions in the absence of a magnetic field with model calculations. This value was verified by fitting the observed spin splitting of the lowest heavy hole (hh) state. We discuss also the temperature dependence of Q$\text{}_{v}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 887-890
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Elastic Properties of Zinc Blende MnTe
    Autorzy:
    Djemia, P.
    Roussigné, Y.
    Stashkevich, A.
    Szuszkiewicz, W.
    Gonzalez Szwacki, N.
    Dynowska, E.
    Janik, E.
    Kowalski, B. J.
    Karczewski, G.
    Bogusławski, P.
    Jouanne, M.
    Morhange, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2038250.pdf
    Data publikacji:
    2004-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    62.20.Dc
    75.50.Pp
    78.35.+c
    Opis:
    The Brillouin light scattering was used to investigate elastic properties of the zinc blende, MBE-grown MnTe layer that was deposited on a (001) GaAs substrate covered by CdTe buffer layer. The three elastic constants of the zinc blende MnTe, namely c$\text{}_{11}$, c$\text{}_{12}$, and c$\text{}_{44}$, were directly determined for the first time from the frequency of the Rayleigh mode, of the pseudo-surface mode, and of the shear horizontal bulk mode traveling parallel to the layer surface. The value of c$\text{}_{11}$ was checked using the frequency of longitudinal bulk waves propagating at different angles from the normal of the layer plane. This value was also independently determined by results of the folding of acoustic phonons, observed for MnTe/CdTe superlattices by the Raman scattering. Finally, the bulk modulus given by the formula B=(c$\text{}_{11}$+2c$\text{}_{12}$)/3 was determined for zinc blende MnTe by ab initio calculations making use of the density functional theory and atomic pseudopotentials; spin polarization of MnTe was taken into account. A satisfactory agreement between theoretical and experimental values was obtained.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 239-247
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies