Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Cieplak, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Negative Magnetoresistance in the Variable-Range-Hopping Transport of Strongly Underdoped La$\text{}_{2-x}$Sr$\text{}_{x}$CuO$\text{}_{4}$
Autorzy:
Malinowski, A.
Cieplak, M. Z.
Berkowski, M.
Guha, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046779.pdf
Data publikacji:
2006-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.72.-h
74.25.Fy
73.43.Qt
Opis:
The in-plane transport of strongly underdoped La$\text{}_{2-x}$Sr$\text{}_{x}$CuO$\text{}_{4}$ films was examined in the magnetic fields up to 14 T and in temperatures down to 1.6 K. While at high temperatures the samples display metallic-like resistivity, the low-T transport is governed by variable-range-hopping mechanism. Careful analysis shows that the temperature dependence of pre-exponential factor in Mott's variable-range-hopping law may not be neglected and that the density of states at the Fermi level can be effectively expressed as g(E-E$\text{}_{F}$)=N$\text{}_{0}$ (E-E$\text{}_{F}$)$\text{}^{p}$, with a small exponent p of the order of 0.1. In the magnetic field parallel to CuO$\text{}_{2}$ planes one of the variable-range-hopping parameter,ρ$\text{}_{0}$, increases by about 20-25%, while the other one, T$\text{}_{0}$, decreases by about 10-15%, resulting in the decrease in total resistivity. This effect may be related to the decrease of the tunneling barrier between different antiferromagnetic clusters in the presence of magnetic field.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 109, 4-5; 611-615
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Metal-Insulator Transition in Zinc-Doped LaSrCuO
Autorzy:
Malinowski, A.
Cieplak, M. Z.
Berkowski, M.
Plesiewicz, W.
Skośkiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046782.pdf
Data publikacji:
2006-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.72.-h
71.30.+h
74.25.Fy
Opis:
The magnetotransport in the vicinity of the metal-insulator transition in La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$Cu$\text{}_{x}$Zn$\text{}_{1-x}$O$\text{}_{4}$ is studied in the mK temperature range. Both longitudinal and transverse magnetoresistance are negative indicating the importance of spin effects. The magnitude of transverse magnetoresistance is larger than the magnitude of longitudinal magnetoresistance, indicating the absence of positive orbital magnetoresistance, in sharp contrast to strongly underdoped La$\text{}_{2-x}$Sr$\text{}_{x}$CuO$\text{}_{4}$. Both transverse and longitudinal magnetoresistance are proportional to the relative change of zero-field conductivity. This suggests that low-temperature localization of carriers may originate in the spin-disorder scattering on the spin droplets around Zn-impurities.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 109, 4-5; 617-621
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Strain Relaxation in Thin Films of La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$CuO$\text{}_{4}$ Grown by Pulsed Laser Deposition
Autorzy:
Zaytseva, I.
Cieplak, M. Z.
Abal'oshev, A.
Berkowski, M.
Domukhovski, V.
Paszkowicz, W.
Shalimov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047252.pdf
Data publikacji:
2007-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
74.62.-c
74.72.Dn
74.78.Bz
74.25.Fy
Opis:
X-ray diffraction, resistivity, and susceptibility measurements are used to examine the effects of film thickness d (from 17 to 250 nm) on the structural and superconducting properties of La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$CuO$\text{}_{4}$ films grown by pulsed laser deposition on SrLaAlO$\text{}_{4}$ substrates. For each d the film sgrow with a variable strain, ranging from a large compressive strain in the thinnest films to a negligible or tensile strain in thick films. Our results indicate that the tensile strain is not caused by the off-stoichiometric layer at the substrate-film interface. Instead, it may be caused by the extreme oxygen deficiency in some of the films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 111, 1; 185-188
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies