Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "88.40.hj" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Structural, Optical, and Electrical Studies on Pulse Plated $AgInSe_2$ Films
Autorzy:
Murugan, S.
Murali, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1205200.pdf
Data publikacji:
2014-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.ag
73.61.Jc
88.40.hj
88.40.jn
Opis:
In this work, the pulse electrodeposition technique was employed for the first time to deposit $AgInSe_2$ films. The films were deposited at room temperature from a bath containing Analar grade 10 mM silver sulphate, 50 mM indium sulphate and 5 mM $SeO_2$. The deposition potential was maintained at -0.98 V (SCE). Tin oxide coated glass substrates (5.0 $Ω$/sq) were used for depositing the films. The duty cycle was varied in the range of 6-50%. The X-ray diffraction pattern of the thin films deposited at different duty cycles indicated the peaks corresponding to $AgInSe_2$. The transmission spectra exhibited interference fringes. Resistivity of the films increased from 1.5 $Ω$ cm to 12.4 $Ω$ cm. Mobility increased with duty cycle. Carrier density decreased with duty cycle. The photovoltaic parameters of CdS/$AgInSe_2$ solar cells increased with duty cycle.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 3; 727-731
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Study of p-Layer Doping Density and Surface Band Bending on the Indium Tin Oxide/Hydrogenated Amorphous Silicon Heterojunction Solar Cells
Autorzy:
Rached, D.
Madani Yssad, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398948.pdf
Data publikacji:
2015-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Jc
71.20.Mq
88.40.hj
88.40.jj
Opis:
A solar cell (indium tin oxide (ITO)/p-doped amorphous silicon (p-a-Si:H)/intrinsic polymorphous silicon (i-pm-Si:H)/n-doped crystalline silicon (n-c-Si)) simulation, focused on p-layer doping density NA and surface band bending $E_\text{sbb}$ at the interface ITO/p-layer has been performed. Despite the deterioration of p-layer material quality with doping density, the reduced bulk recombination was found to compensate for the increased loss in the p-layer. An increase of p-layer doping density NA and contact barrier height $\phi_{b0}$ (variation of the surface band bending $E_\text{sbb}$) leads to an increase of the efficiency of heterojunction with intrinsic thin layer solar cells.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 3; 767-769
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies