In this work, the pulse electrodeposition technique was employed for the first time to deposit $AgInSe_2$ films. The films were deposited at room temperature from a bath containing Analar grade 10 mM silver sulphate, 50 mM indium sulphate and 5 mM $SeO_2$. The deposition potential was maintained at -0.98 V (SCE). Tin oxide coated glass substrates (5.0 $Ω$/sq) were used for depositing the films. The duty cycle was varied in the range of 6-50%. The X-ray diffraction pattern of the thin films deposited at different duty cycles indicated the peaks corresponding to $AgInSe_2$. The transmission spectra exhibited interference fringes. Resistivity of the films increased from 1.5 $Ω$ cm to 12.4 $Ω$ cm. Mobility increased with duty cycle. Carrier density decreased with duty cycle. The photovoltaic parameters of CdS/$AgInSe_2$ solar cells increased with duty cycle.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00