Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Piotrowska, E" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-13 z 13
    Tytuł:
    Interfacial Reactions between Thin Films of Zinc and (100)InP
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Barcz, A.
    Mizera, E.
    Dynowska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933803.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    The effects of interaction between thin films of Zn and (100)InP were studied with secondary ion mass spectrometry, X-ray diffraction and transmission electron microscopy. Zn was found to penetrate the native oxide on InP surface during deposition and to form an ohmic contact when deposited on highly doped n-type InP. Heat treatment causes the formation of Zn$\text{}_{3}$P$\text{}_{2}$ phase lattice matched to InP.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 771-774
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Interaction between Thin Films of Zinc and (100) GaAs
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Żarecka, R.
    Mizera, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929624.pdf
    Data publikacji:
    1993-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    Interfacial reactions between thin films of Zn and GaAs were studied by means of transmission electron microscopy. Low-temperature interaction is governed by the penetration of Zn into the native oxide layer at the metal/GaAs interface. At 360°C the formation of Zn$\text{}_{3}$As$\text{}_{2}$ phase, highly oriented with respect to the (100) substrate takes place.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 527-529
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transport Behaviour in Low-Resistance Metal/p-GaAs Interfaces
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Kasjaniuk, S.
    Gierlotka, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1950962.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    The relationship between electrical properties and microstructure of pure Zn and AuZn contacts to p-GaAs has been studied. The obtained results prove that mechanism responsible for the ohmic behaviour of these contacts is associated with the lowering of the potential barrier at metal/semiconductor interface, resulting from the phase transformations in the metallization.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 843-846
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of Phosphorus Release during Annealing of Au Contacts to InP
    Autorzy:
    Piotrowska, A.
    Kamińska, E.
    Kwiatkowski, S.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923864.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    The analysis of phosphorus release from Au/InP contacts heat treated at temperature from the range 360-480°C showed that P evaporation accompanies any stage of contact reaction. The use of encapsulating layer during contact annealing suppresses the loss of phosphorus and changes the kinetics of thermally activated interfacial reaction.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 849-852
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Atomic Scale Morphology of Thin Au(Zn)/GaAs Ohmic Contacts
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Żarecka, R.
    Barcz, A.
    Mizera, E.
    Kwiatkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923883.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    Very thin Au(Zn) contacts to p-GaAs were studied by means of transmission electron microscopy and secondary ion mass spectrometry. It was found that such contacts when cap annealed became ohmic, even though the reaction between the metallization and GaAs is confined to a very close vicinity of the interface.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 853-856
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dual Role of TiN Reaction Barrier in Gold Based Metallization to GaAs
    Autorzy:
    Piotrowska, A.
    Kamińska, E.
    Guziewicz, M.
    Adamczewska, J.
    Kwiatkowski, S.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923915.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    Reactively sputtered TiN films were evaluated as annealing cap improving the formation of Au(Zn) ohmic contact and as antidiffusion barrier protecting contact metallization and underlying GaAs against reaction with Au overlayers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 857-860
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Direct Measurements of Arsenic and Phosphorus Evolution During Cap-Annealing of Gold-Based Metallizations on GaAs and InP
    Autorzy:
    Piotrowska, A.
    Kamińska, E.
    Guziewicz, M.
    Veresegyhazy, R.
    Mojzes, I.
    Pecz, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1891383.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    Evolution of arsenic and phosphorus during heat treatment of unprotected and encapsulated Au, AuZn and AuGeNi contacts on GaAs and InP has been examined and correlated with their ohmic behavior.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 457-460
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Materials Technology for GaSb-Based optoelectronic Devices
    Autorzy:
    Piotrowska, A.
    Kamińska, E.
    Piotrowski, T. T.
    Piskorski, M.
    Guziewicz, M.
    Papis, E.
    Gołaszewska-Malec, K.
    Kasjuniuk, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952070.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    81.05.Ea
    81.40.-z
    Opis:
    A study is made of surface preparation, metallization, patterning and dielectric deposition with the aim of developing process technology for GaSb-based photonic devices.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 903-906
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Shallow Ohmic Contact System to n-GaAs
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Piotrowski, T. T.
    Barcz, A.
    Guziewicz, M.
    Adamczewska, J.
    Kwiatkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929764.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    Low resistance (Au)GeNi ohmic contacts to n-GaAs with smooth morphology and restricted penetration into the substrate have been fabricated. Rapid thermally nitrided tungsten has been demonstrated to be an effective capping layer during the contact processing.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 804-806
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ohmic Contacts To GaN by Solid-Phase Regrowth
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Barcz, A.
    Ilka, L.
    Guziewicz, M.
    Kasjaniuk, S.
    Dynowska, E.
    Kwiatkowski, S.
    Bremser, M. D.
    Davis, R. F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968123.pdf
    Data publikacji:
    1997-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    73.40.Cg
    Opis:
    Ni/Si-based contact schemes based on the solid-phase regrowth process have been developed to form low-resistance ohmic contacts to GaN with a minimum contact resistivity of 1×10$\text{}^{-3}$ Ωcm$\text{}^{2}$ and ≈1×10$\text{}^{-2}$ Ωcm$\text{}^{2}$ to GaN:Si (n ≈ 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$) and GaN:Mg (p ≈ 3×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$). The solid-phase regrowth process responsible for the ohmic contact formation was studied using X-ray diffraction, secondary ion mass spectrometry and Rutherford backscattering spectrometry.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 819-823
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Interfacial Microstructure of Ni/Si-Based Ohmic Contacts To GaN
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Jasiński, J.
    Kozubowski, J.
    Barcz, A.
    Gołaszewska, K.
    Bremser, M. D.
    Davis, R. F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1991549.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Cg
    73.40.Ns
    Opis:
    The microstructure of Ni/Si-based contacts to GaN has been studied using transmission electron microscopy methods. The transition from non-ohmic to ohmic behavior appears to correlate with the initial limited reaction of GaN with Ni and further Si-Ni reaction-driven decomposition of the interfacial GaN-Ni phase.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 383-386
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical and Structural Properties of Ohmic Contacts to n-Type and High Resistivity CdTe
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Guziewicz, M.
    Gierlotka, S.
    Papis, E.
    Łusakowski, J.
    Szadkowski, K.
    Kwiatkowski, S.
    Dietl, T.
    Grabecki, G.
    Jaroszyński, J.
    Karczewski, G.
    Zakrzewski, A. K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873052.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    The interaction between CdTe and In during the formation of an ohmic contact has been investigated. Emphasis is placed on the study of the effect of thermally induced sublimation of cadmium on electrical properties of contacts. Presented results prove the effectiveness of cap annealing and rapid thermal processing in fabrication of improved ohmic contacts with limited Cd losses during the contacting procedure.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 411-414
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Interaction of Au with GaSb and its Impact on the Formation of Ohmic Contacts
    Autorzy:
    Piotrowska, A.
    Kamińska, E.
    Piotrowski, T.
    Kasjaniuk, S.
    Guziewicz, M.
    Gierlotka, S.
    Lin, X. W.
    Liliental-Weber, Z.
    Washburn, J.
    Kwiatkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873078.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    Interfacial reactions between GaSb and Au were studied by Rutherford backscattering, X-ray diffraction, and cross-sectional transmission electron microscopy. Evaluation of the extent to which the GaSb substrate decomposes was of primary concern. The results give evidence that the reaction takes place even at temperatures as low as 180°C. High reactivity of gold towards GaSb revealed by this study demonstrates that Au-based metallization is not a good candidate for device quality ohmic contacts to GaSb-based devices.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 419-422
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-13 z 13

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies