Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "73.61.-r" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Dynamics of Hot Electrons in ZnSe-ZnTe Double Barrier Heterostructures
Autorzy:
Bała, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1860709.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
03.65.-w
73.40.Gk
73.61.-r
Opis:
In this paper we perform a detailed study of the transport of hot electrons in the double barrier heterostructures with the presence of a collector barrier. This system is considered as a double barrier resonant tunneling device. The electron is described by time-dependent Schrodinger equation, which allows us to study detailed dynamics of the carriers. The influence of an energy step in the collector area of the device on the tunneling probability is investigated. The significant role of dissipation due to electron-phonon interactions is presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 709-714
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport in GaAs/AlAs/GaAs [111] Tunnel Junctions
Autorzy:
Lewińska, S.
Gryglas-Borysiewicz, M.
Przybytek, J.
Baj, M.
Jouault, B.
Gennser, U.
Ouerghi, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047930.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.-r
71.20.Nr
73.23.Hk
73.63.Hs
72.10.Di
85.30.Mn
73.40.Gk
Opis:
Resonant tunneling in single-barrier GaAs/AlAs/GaAs junctions grown in [111] direction was studied for samples with different concentration of silicon δ-doping in AlAs. In the I(V) characteristics, measured at 4 K, two kinds of peaks were observed: related to resonant tunneling via donors states in the barrier, and through X-minimum quantum well subbands. The results are compared to those previously obtained for analogous samples grown along [001] direction. The investigations reveal different symmetry of donor states in both cases.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 606-608
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
STM Studies of the Proximity Effect in Superconducting Wires with Artificial Pinning Centers
Autorzy:
Levi, Y.
Millo, O.
Rizzo, N. D.
Prober, D. E.
Motowidlo, L. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968775.pdf
Data publikacji:
1998-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.50.+r
73.40.Gk
61.16.Ch
Opis:
Scanning tunneling microscopy and spectroscopy were applied to study the proximity effect with nanometer spatial resolution. The measurements were conducted on novel superconducting wires, which consist of an ordered array of submicron diameter normal metal filaments (Cu, Ni) embedded in a superconducting (NbTi) matrix. Spatially resolved information about the local density of states is obtained by taking I-V curves simultaneously with topographic images. Our data provide direct evidence on the interplay between the normal and superconducting constituents in the vicinity of the interface between them.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 93, 2; 425-430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies