Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Bednarski, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Studies of Transport Properties of Single Layer Devices Based on the Polyazomethine Thin Films
Autorzy:
Weszka, J.
Domański, M.
Jurusik, J.
Hajduk, B.
Chwastek, M.
Bednarski, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492961.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ei
73.50.Pz
Opis:
This work reports results of studies on transport properties of single-layer devices based on polyazomethine thin films with different metal electrodes. Recorded I-V characteristics of Au-PPI-Au and Au-PPI-Al structures were analyzed in detail. It appears that I-V characteristics of Au-PPI-Au structures are consistent with the Mott-Gurney law with the mobility value of $2× 10^{-6} cm^2$/(V s). Relatively low current in Au-PPI-Al devices is attributed to high value of the Schottky barrier and/or due to low density of longer conjugated segments in polyazomethine thin films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 936-938
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stability of Diodes with Poly(3-hexylthiophene) and Polyazomethines Thin Organic Layer
Autorzy:
Bednarski, H.
Gąsiorowski, J.
Domański, M.
Hajduk, B.
Jurusik, J.
Jarząbek, B.
Weszka, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1409596.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ei
73.50.Pz
Opis:
Herein we report results of studies on stability of diodes based on organic semiconductors such as poly (3-hexylthiophene) (P3HT) and soluble derivative of polyazomethine poly(1,4-(2,5-bisoctyloxy phenylenemethylidynenitrilo)-1,4-phenylenenitrilomethylidyne), (BOO-PPI). Both polymers were deposited on glass/ITO substrate with or without covering with blocking layer: poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(4-styrene sulfonate) (PEDOT:PSS) and finished with Al back electrode. Prepared devices were studied by monitoring their electrical conductivity under nitrogen atmosphere and ambient air conditions. Under nitrogen atmosphere a marked influence of presence of the blocking layer on the diodes electrical conductivity was revealed. The P3HT diodes prepared without PEDOT:PSS thin film shown quick degradation, whereas presence of these layers stabilizes electrical conductivity in these devices. Inversely, the PPI based diodes without the PEDOT:PSS revealed stable conducting properties, while corresponding diodes with PEDOT:PSS layer showed degradation traces of their conducting properties.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1083-1086
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies