Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "71.20.Hk" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Resonant Tunneling Through Discrete Electronic Levels of a C$\text{}_{60}$ Molecule in the Presence of Charging Effects
Autorzy:
Millo, O.
Levi, Y.
Porath, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968831.pdf
Data publikacji:
1998-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Ch
71.20.Tx
73.20.Dx
73.23.Hk
Opis:
We have conducted tunneling spectroscopy studies for isolated C$\text{}_{60}$ molecules in the double barrier tunnel junction configuration. The tunneling current-voltage (I-V) and dI/dV vs. V spectra of these molecules exhibit rich structures resulting from both resonant tunneling through the discrete levels and single electron charging effects. In particular, we observe degeneracy lifting within the molecular orbitals, probably due to the Jahn-Teller effect and local electric fields. Theoretical fits, performed using the "orthodox" model for single-electron tunneling modified to account for the discrete level spectrum of C$\text{}_{60}$, agree well with our data.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 93, 2; 431-435
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport in GaAs/AlAs/GaAs [111] Tunnel Junctions
Autorzy:
Lewińska, S.
Gryglas-Borysiewicz, M.
Przybytek, J.
Baj, M.
Jouault, B.
Gennser, U.
Ouerghi, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047930.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.-r
71.20.Nr
73.23.Hk
73.63.Hs
72.10.Di
85.30.Mn
73.40.Gk
Opis:
Resonant tunneling in single-barrier GaAs/AlAs/GaAs junctions grown in [111] direction was studied for samples with different concentration of silicon δ-doping in AlAs. In the I(V) characteristics, measured at 4 K, two kinds of peaks were observed: related to resonant tunneling via donors states in the barrier, and through X-minimum quantum well subbands. The results are compared to those previously obtained for analogous samples grown along [001] direction. The investigations reveal different symmetry of donor states in both cases.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 606-608
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies