Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Bosy, G." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Ultraviolet Detectors Based on ZnO:N Thin Films with Different Contact Structures
Autorzy:
Ievtushenko, A.
Lashkarev, G.
Lazorenko, V.
Karpyna, V.
Sichkovskyi, V.
Kosyachenko, L.
Sklyarchuk, V.
Sklyarchuk, O.
Bosy, V.
Korzhinski, F.
Ulyashin, A.
Khranovskyy, V.
Yakimova, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811930.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
81.15.Cd
85.60.Dw
72.40.+w
Opis:
Al/ZnO:N/Al and Ni/ZnO:N/Al diode photodetectors fabricated by dc magnetron sputtering of ZnO:N films on p-Si substrates are studied. The photocurrent-to-dark current ratio equal to 250 at λ= 390 nm and the time constant of photoresponse about 10 μs for Al/ZnO:N/Al structures with 4 μm interdigital spacing was achieved. The Ni/ZnO:N/Al diode structure has the rectification ratio ≈10² at bias 1 V, the maximal responsivity about 0.1 A/W is observed at 365 nm, and the measured time constant of photoresponse is about 100 ns.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1123-1129
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies