Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Zaytseva, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Microstructure of the Pulsed Laser Deposited LaSrCuO Films
Autorzy:
Cieplak, M. Z.
Abal'oshev, A.
Zaytseva, I.
Berkowski, M.
Guha, S.
Wu, Q.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046751.pdf
Data publikacji:
2006-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
68.55.Jk
68.37.Ps
Opis:
The X-ray diffraction and atomic force microscopy are used to examine the microstructure of La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$CuO$\text{}_{4}$ films grown by pulsed laser deposition on LaSrAlO$\text{}_{4}$ substrates. The films grow with different degrees of built-in strain, ranging from a large compressive to a large tensile in-plain strain. The tensile strain cannot be attributed to a substrate-related strain. The possible origins of the tensile strain are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 109, 4-5; 573-576
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Strain Relaxation in Thin Films of La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$CuO$\text{}_{4}$ Grown by Pulsed Laser Deposition
Autorzy:
Zaytseva, I.
Cieplak, M. Z.
Abal'oshev, A.
Berkowski, M.
Domukhovski, V.
Paszkowicz, W.
Shalimov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047252.pdf
Data publikacji:
2007-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
74.62.-c
74.72.Dn
74.78.Bz
74.25.Fy
Opis:
X-ray diffraction, resistivity, and susceptibility measurements are used to examine the effects of film thickness d (from 17 to 250 nm) on the structural and superconducting properties of La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$CuO$\text{}_{4}$ films grown by pulsed laser deposition on SrLaAlO$\text{}_{4}$ substrates. For each d the film sgrow with a variable strain, ranging from a large compressive strain in the thinnest films to a negligible or tensile strain in thick films. Our results indicate that the tensile strain is not caused by the off-stoichiometric layer at the substrate-film interface. Instead, it may be caused by the extreme oxygen deficiency in some of the films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 111, 1; 185-188
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies