Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Czernecki, R." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Impact of Thin LT-GaN Cap Layers on the Structural and Compositional Quality of MOVPE Grown InGaN Quantum Wells Investigated by TEM
Autorzy:
Ivaldi, F.
Kret, S.
Szczepańska, A.
Czernecki, R.
Kryśko, M.
Grzanka, S.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048084.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.bg
68.37.Lp
68.65.Fg
Opis:
Two samples containing InGaN quantum wells have been grown by metal-organic vapor phase epitaxy on high pressure grown monocrystalline GaN (0001). Different growth temperatures have been used to grow the wells and the barriers. In one of the samples, a low temperature GaN layer (730°C) has been grown on every quantum well before rising the temperature to standard values (900°C). The samples have been investigated by transmission electron microscopy and X-ray diffraction. Photoluminescence spectra have been measured as well. The influence of the LT-GaN has been investigated in regard to its influence on the structural and compositional quality of the sample.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 660-662
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies