Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "T1 relaxation" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Lattice Parameter Relaxation during MBE of ZnTe/Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te/Cd$\text{}_{0.5}$Zn$\text{}_{0.5}$Te Buffer Layers by RHLED and HRTEM
Autorzy:
Kret, S.
Karczewski, G.
Zakrzewski, A.
Dłużewski, P.
Dubon, A.
Wojtowicz, T.
Kossut, J.
Delamarre, C.
Laval, J. Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933838.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Bg
61.14.Hg
68.35.-p
Opis:
The dynamics of the lattice relaxation processes were investigated using a reflection of a high energy electron diffraction analysis system during growth by molecular beam epitaxy of ZnTe/Cd$\text{}_{1-x}$Ζn$\text{}_{x}$Te/Cd$\text{}_{0.5}$Mn$\text{}_{0.5}$Te buffers on GaAs substrates. The variation of the lattice parameter recorded by the high energy electron diffraction during the growth was later confirmed by an analysis of high resolution transmission electron microscopy images. We report also on an observation of oscillations of the lattice parameter during the deposition of several first layers of ZnTe on CdTe.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 795-798
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies