Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Bugajski, J" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Angular and Temperature Tuning of Emission from Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers (VECSELs)
    Autorzy:
    Wójcik-Jedlińska, A.
    Muszalski, J.
    Bugajski, M.
    Łukowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812025.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.35.Be
    78.67.De
    42.55.Sa
    42.55.Xi
    Opis:
    In this paper we demonstrate how the tuning of the VECSEL heterostructure can be precisely determined. Since the VECSEL active region is embodied in a microcavity, the photoluminescence signal collected from the chip surface is modified by the resonance of this cavity. The angle resolved photoluminescence measurements combined with the temperature tuning of the structure allowed us to precisely determine VECSEL emission features. The investigated structure consists of GaAs cavity with six InGaAs quantum wells and is designed for lasing at 980 nm.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1437-1443
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Molecular Beam Epitaxy Growth for Quantum Cascade Lasers
    Autorzy:
    Kosiel, K.
    Szerling, A.
    Kubacka-Traczyk, J.
    Karbownik, P.
    Pruszyńska-Karbownik, E.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791281.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    81.15.Hi
    85.60.-q
    85.35.Be
    73.63.-b
    63.22.-m
    72.80.Ey
    73.61.Ey
    78.66.Fd
    Opis:
    The fabrication of quantum cascade lasers emitting at 9 μm is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W and the slope efficiency η ≈ 0.5-0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ heterostructure, with the "anticrossed-diagonal" design. Double plasmon planar confinement with Al-free waveguide has been used to minimize absorption losses. The double trench lasers were fabricated using standard processing technology, i.e., wet etching and $Si_{3}N_{4}$ for electrical insulation. The quantum cascade laser structures have been grown by molecular beam epitaxy, with Riber Compact 21 T reactor. The stringent requirements - placed particularly on the epitaxial technology - and the influence of technological conditions on the device structure properties were presented and discussed in depth.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 806-813
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fermi-Edge Singularity in Luminescence Spectra of P-Type Modulation Doped AlGaAs/GaAs Quantum Wells
    Autorzy:
    Bugajski, M.
    Godlewski, M.
    Regiński, K.
    Holtz, P. O.
    Bergman, J. P.
    Monemar, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1969046.pdf
    Data publikacji:
    1998-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    73.20.Dx
    Opis:
    We have studied an enhancement of the oscillator strength for optical transitions near the Fermi energy in p-type modulation-doped quantum wells, which, so far, deserved much less attention than analogous n-type systems, because of the complicated valence band structure involved. The relatively wide (L=150 Å) quantum wells and high doping levels were used, containing more than one occupied subband. The enhancement in the photoluminescence intensity at the Fermi energy resulted from the strong correlation and multiple scattering of holes near the Fermi edge by the localized electrons.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 265-270
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mid-Infrared GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers Technology
    Autorzy:
    Szerling, A.
    Karbownik, P.
    Kosiel, K.
    Kubacka-Traczyk, J.
    Pruszyńska-Karbownik, E.
    Płuska, M.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807678.pdf
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.60.-q
    85.35.Be
    72.80.Ey
    73.61.Ey
    78.66.Fd
    Opis:
    The fabrication technology of AlGaAs/GaAs based quantum cascade lasers is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W for the GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ laser without anti-reflection/high-reflection coatings.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-45-S-47
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies