Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "O3" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Właściwości fizyczne nanoproszków Al2O3-Ag wytworzonych metodą rozkładu termicznego-redukcji oraz impregnacji nanosrebrem koloidalnym
    Physical properties of Al2O3-Ag nanopowders produced by thermal decomposition-reduction and colloidal nanosilver impregnation
    Autorzy:
    Sidorowicz, A.
    Jastrzębska, A.
    Olszyna, A.
    Kunicki, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192236.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    nanoproszki Al2O3-Ag
    Al2O3-Ag nanopowders
    Opis:
    Praca miała na celu zbadanie wpływu warunków wytwarzania nanoproszków Al2O3-Ag jak również ilości dodanego srebra na ich właściwości fizyczne [1]. Nanoproszki Al2O3-Ag zostały wytworzone metodą rozkładu termicznego-redukcji. W pierwszym etapie otrzymany prekursor poddano wygrzewaniu w temperaturze 700°C w atmosferze powietrza przez 24 h. Następnie, produkt pośredni Al2O3-Ag2O poddano redukcji w temperaturze 700°C w atmosferze wodoru przez 2 h w celu uzyskania produktu końcowego- nanoproszku Al2O3-Ag. Metoda ta pozwoliła na otrzymanie serii próbek A12O3+ x wag% Ag (x = 0.30, 1.35, 2.84, i 12.55). W celach porównawczych wytworzono również nanoproszki Al2O3-Ag metodą impregnacji nanoproszku Al2O3 nanosrebrem z układu koloidalnego nanosrebro-heksan. Metodą tą otrzymano serię próbek Al2O3+ x wag% Ag (x=0.30, l.40, 2.85, oraz 12.70). Otrzymane nanoproszki Al2O3-Ag poddano analizie takich parametrów fizycznych jak powierzchnia właściwa, objętość i rozmiar porów, a także gęstość rzeczywista. Produkty obu metod charakteryzują się znacznie rozwiniętą powierzchnią właściwą (ponad 200 m²/g) oraz dużą objętością porów (0,4-1,1cm³/g).
    The main aim of this work was to investigate the influence of Al2O3-Ag production parameters and Ag percentage addition on surface morphology and physical properties of the middle as well as final product. The Al2O3-Ag nanopowders were produced by two methods. The first one, thermal decomposition-reduction allowed receiving the series of samples: Al2O3+ x wt% Ag (x=0.30, 1.35, 2.84, and 12.55). The second, was colloidal nanosilver-hexane impregnation. This method allowed receiving the series of samples: Al2O3+ x wt% Ag (x = 0.30, 1.40, 2.85, and 12.70). Morphology and physical properties were examined using scanning electron microscope, nitrogen sorption measurements and helium pycnometer. Both methods allow to obtain Al2O3-Ag nanopowders with comparable average particle size (between 40 and 100 nm), large specific BET surface area (over 200 m²/g) and large open porosity volume (between 0.4 -1.1 cm³/g).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 2, 2; 30-38
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Właściwości mechaniczne ceramiki Y2O3 wzmocnionej płatkami grafenowymi
    Mechanical properties of graphene flake-reinforced Y2O3 ceramics
    Autorzy:
    Boniecki, M.
    Librant, Z.
    Wesołowski, W.
    Gołębiewski, P.
    Zybała, R.
    Kaszyca, K.
    Koziński, R.
    Librant, K.
    Piątkowska, A.
    Romaniec, M.
    Ciepielewski, P.
    Krzyżak, K.
    Kurpaska, Ł.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192207.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    ceramika Y2O3
    grafen płatkowy
    odporność na pękanie
    wytrzymałość na zginanie
    Y2O3 ceramics
    graphene flakes
    toughness
    bending strength
    Opis:
    W pracy badano wpływ płatków grafenowych na właściwości mechaniczne kompozytu Y2O3 – grafen w funkcji sposobu przygotowania zawiesin tlenku grafenu GO oraz jego zawartości w kompozycie. Do otrzymania próbek użyto handlowy nanometryczny proszek Y2O3 o czystości 99,99% i GO otrzymany w ITME. Kompozyty otrzymano na bazie wodnej mieszaniny obu składników, którą spiekano po wysuszeniu w piecu Astro pod jednoosiowym ciśnieniem i metodą SPS. Wykonano kompozyty o zawartości wagowej GO 1 i 3%. Spektroskopia Ramana potwierdziła obecność zredukowanego tlenku grafenu w otrzymanych kompozytach. Poza pojedynczymi przypadkami sposób przygotowania zawiesin GO nie miał wpływu na wartości mierzonych właściwości mechanicznych. Stwierdzono, że w funkcji zawartości GO dla próbek spiekanych w piecu Astro twardość oraz moduł Younga nieznacznie maleją, wytrzymałość na zginanie rośnie maksymalnie o ok. 30% dla 3% GO. Odporność na pękanie mierzona na belkach z karbem nieznacznie maleje w funkcji zawartości GO, ale za to rośnie odporność na pękanie mierzona metodą Vickersa (o ok. 50%). Odporność na pękanie próbek spiekanych metodą SPS rośnie maksymalnie ok. 80% (dla obu metod pomiaru). Zaobserwowany na zdjęciach pęknięć Vickersa mechanizm wzmacniania przez płatki GO, polegał na skręcaniu płaszczyzny pękania i blokowaniu jego propagacji.
    The influence of graphene flakes on the mechanical properties of Y2O3 – graphene composite as a function of the preparation method of the suspensions of graphene oxide GO and its content was studied. To obtain samples, a commercial nano-sized Y2O3 powder with a purity of 99.99% and GO fabricated at ITME were used. The composites were based on an aqueous mixture of both components. They were sintered after drying under uniaxial pressure in an Astro furnace and an SPS machine. The GO weight content in the case of these composites was 1 and 3%. Raman spectroscopy confirmed the presence of reduced graphene oxide in the resultant composites. Besides isolated cases,the preparation of the GO suspensions did not affect the measured mechanical properties. It was found that for the samples sintered in the Astro furnace both hardness and Young's modulus as function of the GO content were slightly reduced, whereas the bending strength increased to approx. 30% for 3% GO. In addition, the fracture toughness measured at the notched beams decreased slightly as a function of the GO content but grew (about 50%) for the fracture toughness measured by the Vickers method. The fracture toughness of the samples sintered in the SPS machine increased up to about 80% for both measurement methods. The mechanism of reinforcing the material with graphene flakes observed in the pictures of the Vickers cracks was based on crack deflection and crack blocking.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 3, 3; 15-24
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ cząsteczek wody w B2O3 na właściwości niedomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego
    The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single crystals
    Autorzy:
    Orłowski, W.
    Hruban, A.
    Mirowska, A.
    Strzelecka, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192040.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    InAs
    LEC
    B2O3
    własności elektryczne
    electrical properties
    Opis:
    Opracowano warunki otrzymywania metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową (Liquid Encapsulated Czochralski - LEC) bardzo czystych niedomieszkowanych monokryształów InAs typu n o ruchliwości elektronów μ > 22000 cm ² / Vs i koncentracji elektronów n < 3 x10^16 cm -³ w 300 K. Zbadano wpływ zawartości cząsteczek wody w topniku (B2O3) stosowanym do hermetyzacji stopionego wsadu na parametry elektryczne kryształów oraz na zawartość w nich domieszek resztkowych. Zbadano również wpływ czasu wygrzewania stopionego wsadu przed procesem krystalizacji na własności otrzymanych kryształów.
    The aim of this work was to find out technological conditions that allow obtaining high purity undoped InAs single crystals with carrier concentration below 3xl0^16 cm -³ and carrier mobility over 22000 cm ² / Vs. Synthesis by injection method and Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) crystal growth were applied. The influence of water content in B2O3 encapsulant (applied during injection synthesis and LEC growth) on electrical properties of InAs crystals and especially on dopants concentration was investigated. The influence of charge annealing duration before crystallization process on InAs crystals properties was also investigated.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 15-21
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mechanical strength and fracture toughness of brittle monocrystalline and ceramic materials
    Wytrzymałość mechaniczna i odporność na pękanie kruchych materiałów monokrystalicznych i ceramicznych
    Autorzy:
    Boniecki, M.
    Kamiński, P.
    Wesołowski, W.
    Krzyżak, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192433.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    Y2O3 ceramics
    high-purity silicon
    fracture toughness
    bending strength
    ceramika Y2O3
    krzem
    odporność na pękanie
    wytrzymałość na zginanie
    Opis:
    The article compares the mechanical properties of a n-type silicon single crystal with an orientation <100> and resistivity ~ 2000 Ωcm, obtained by the floating zone (FZ) method, with the mechanical properties of Y2O3 ceramics. Both materials are characterized by a high value of transmission coefficient of electromagnetic radiation in the wavelength range from 2 μm to 8 μm and they can be used as optical windows in a near infrared range. However, the choice of a material type for the specific applications may depend on their mechanical properties. these properties have been determined both at room temperature and at elevated temperature, i.e. 700°C for si and 800°C for Y2O3 ceramics. We have found that at room temperature the fracture toughness of the Si single crystal KIc = 1.3 ± 0.1 MPam1/2 and the four-point bending strength σc = 289 ± 61 MPa. For Y2O3 ceramics these parameters are 1.8 ± 0.2 MPam1/2 and 184 ± 20 MPa, respectively. At 700°C the mechanical parameters for the Si single crystal are: KIc = 20 ± 3 MPam1/2 and σc = 592 ± 86 MPa. for Y2O3 ceramics at 800°C, KIc = 1.7 ± 0.1 MPam1/2 and σc = 230 ± 23 MPa. The presented data show that at elevated temperatures both fracture toughness and bending strength of the Si single crystal are significantly greater than the values of those parameters found for Y2O3 ceramics.
    W artykule porównano właściwości mechaniczne monokrystalicznego krzemu typu n o orientacji <100> i rezystywności ~ 2000 Ωcm, otrzymanego metodą beztyglową, z właściwościami mechanicznymi ceramiki Y2O3. Oba materiały charakteryzują się dużym współczynnikiem transmisji promieniowania elektromagnetycznego w zakresie długości fali od 2 μm do 8 μm i mogą być stosowane jako okna optyczne w zakresie bliskiej podczerwieni. Wybór rodzaju materiału dla konkretnych zastosowań może być jednak uzależniony od ich właściwości mechanicznych. Właściwości te określano zarówno w temperaturze pokojowej, jak i w temperaturze podwyższonej do 700°C w przypadku Si oraz do 800°C w przypadku ceramiki Y2O3. Stwierdzono, że dla Si w temperaturze pokojowej odporność na pękanie KIc = 1,3 ± 0,1 MPam1/2,a wytrzymałość na zginanie czteropunktowe σc = 289 ± 61 MPa. Dla Y2O3 parametry KIc i σc przyjmują wartości wynoszące w tej temperaturze odpowiednio 1,8 ± 0,2 MPam1/2 i 184 ± 20 MPa. W temperaturze 700°C wartości parametrów KIc i σc dla Si są równe odpowiednio 20 ± 3 MPam1/2 oraz 592 ± 86 MPa, zaś dla ceramiki Y2O3 w 800°C KIc = 1,7 ± 0,1MPam1/2 i σc = 230 ± 23 MPa. Prezentowane dane wskazują, że w temperaturze pokojowej wytrzymałość na zginanie czteropunktowe monokrystalicznego Si jest znacząco większa niż ceramiki Y2O3. W podwyższonych temperaturach zarówno odporność na pękanie, jak i wytrzymałość na zginanie monokrystalicznego Si jest wielokrotnie większa niż w przypadku ceramiki Y2O3.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 4, 4; 8-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of the rigid alumina particles added to ZrO2 ceramics stabilized with Y2 O3 for its mechanical properties
    Wpływ sztywnych korundowych cząstek dodawanych do ceramiki ZrO2 stabilizowanej Y2 O3 na jej właściwości mechaniczne
    Autorzy:
    Boniecki, Marek
    Gołębiewski, Przemysław
    Węglarz, Helena
    Piątkowska, Anna
    Romaniec, Magdalena
    Krzyżak, Konrad
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1831419.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    ZrO2
    ceramics
    Y2O3
    ceramic additives with a large Young's modulus
    Al2O3 grain sizes
    fracture toughness, bending strength
    ceramika
    dodatki ceramiczne o dużym module Younga
    wielkość ziaren Al2 O3
    odporność na pękanie
    wytrzymałość na zginanie
    Opis:
    The effect of the phase added to ZrO2 ceramics on its mechanical properties, and in partcular on the fracture toughness, was examined using the example of Al2 O3 - ZrO2 composite where ZrO2 was stabilized with 3 mol% of Y2 O3 . Composites of 20% wt. Al2 O3 - 80 wt.% ZrO2 with different size of corundum grain were made. Vickers indenter crack resistance tests showed an increase of 21% in the value of this parameter for the samples with Al2 O3 grains of approx. 6.5 μm in comparison with pure ZrO2 ceramics. On the basis of literature data and microscopic observations, authors present a thesis that this increase is caused by two factors, i.e. the increase of the phase transition range (from tetragonal to monoclinic phase) accompanying crack propagation and the effect of large Al2 O3 grains as bridges fastening the fracture surfaces.
    Wpływ fazy dodawanej do ceramiki ZrO2 na jej właściwości mechaniczne w tym głównie na jej odporność na pękanie zbadano na przykładzie kompozytu Al2 O3 – ZrO2 gdzie ZrO2 było stabilizowane 3% mol Y2 O3 . Wykonano kompozyty 20% wag. Al2 O3 – 80% wag. ZrO2 różniące się wielkością ziarna korundowego. Badania odporności na pękanie prowadzone metodą wgłębnika Vickersa wykazały wzrost wielkości tego parametru o 21% dla próbek z ziarnami Al2 O3 o wielkości ok. 6,5 µm w porównaniu z czystą ceramiką ZrO2 . Na podstawie danych literaturowych oraz własnych obserwacji mikroskopowych postawiono tezę, że wzrost ten spowodowany jest przez dwa czynniki tj. zwiększenie się zakresu przemiany fazowej (z fazy tetragonalnej do jednoskośnej) towarzyszącej propagacji pęknięcia oraz działaniem dużych ziaren Al2 O3 jako mostków spinających powstające powierzchnie przełamu.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2019, T. 47, nr 1-4, 1-4; 4-13
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Kompozyt Al2O3-ZrO2 wzmocniony płatkami grafenowymi
    Al2O3-ZrO2 composite reinforced with graphene platelets
    Autorzy:
    Boniecki, M.
    Gołębiewski, P.
    Wesołowski, W.
    Woluntarski, M.
    Zybała, R.
    Kaszyca, K.
    Piątkowska, A.
    Romaniec, M.
    Ciepielewski, P.
    Krzyżak, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192355.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    ceramika Al2O3 – ZrO2
    grafen płatkowy
    odporność na pękanie
    wytrzymałość na zginanie
    Al2O3 – ZrO2 ceramics
    graphene flakes
    toughness
    bending strength
    Opis:
    W pracy zbadano wpływ płatków grafenowych na właściwości mechaniczne kompozytu o zawartości wagowej 20% Al2O3 - 80% ZrO2 (stab. 3% mol. Y2O3). Do otrzymania próbek użyto handlowy proszek ceramiczny firmy Tosoh, tlenek grafenu (GO) otrzymany w ITME oraz grafen firmy SkySpring Nanomaterials Inc. (GN). Kompozyty otrzymano na bazie wodnych (GO) i alkoholowych (GN) mieszanin obu składników, które po wysuszeniu spiekano w piecu Astro pod jednoosiowym ciśnieniem i metodą SPS. Wykonano kompozyty o zawartości wagowej: 0; 0,1; 0,2; 0,5; 1 i 3% GO oraz 0,1% GN. Spektroskopia Ramana wykazała obecność grafenu. Stwierdzono, że w funkcji zawartości GO oraz GN: odporność na pękanie ma maksimum dla zawartości 0,1% GO i GN, wytrzymałość maleje, moduł Younga oraz twardość Vickersa utrzymują się stałe do zawartości 0,5% GO, a następnie maleją.
    This research addresses the effect of graphene flakes on the mechanical properties of the composite containing 20 wt. % Al2O3 and 80 wt. % ZrO2 (stab. 3 mol. % Y2O3). The samples were made from a commercial ceramic powder produced by Tosoh, graphene oxide (GO) from ITME and graphene purchased from Skyspring Nanomaterials Inc. (GN). The obtained composites based on an aqueous (GO) and alcohol (GN) mixtures of both components were first dried and then sintered under an uniaxial pressure in an Astro furnace and in a SPS machine. The composites weight content equaled to: 0; 0.1; 0.2; 0.5; 1 and 3% of GO and 0.1% GN. Raman spectroscopy revealed the presence of graphene. It was found that as a function of the GO and GN content, the fracture toughness has a maximum for 0.1% GO and GN, the strength decreases, the Young's modulus and Vickers hardness remain constant up to 0.5% GO, and then decrease.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 1, 1; 20-28
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wyznaczenie wybranych parametrów piezoelektrycznych kryształu SrLaGa3O7
    Determination of selected parameters in SrLaGa3O7 crystal
    Autorzy:
    Sadura, J.
    Brzozowski, E.
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192102.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    kryształ SrLaGa3O7
    akustyczna fala powierzchniowa (SAW)
    SrLaGa3O7 crystal
    surface acoustic wave (SAW)
    Opis:
    W pracy wyznaczono parametry piezoelektryczne monokryształu SrLaGa3O7 (SLGO) otrzymanego w ITME metodą Czochralskiego, należącego podobnie jak BaLaGa3O7 (BLGO) do grupy związków chemicznych opisanych ogólnym wzorem ABC3O7 (gdzie A = Ca, Sr, Ba; B = La, Gd; C = Ga, Al ). Pomiary i obliczenia przeprowadzono dla różnych orientacji kryształu, lepsze właściwości piezoelektryczne (najwyższy współczynnik sprzężenia elektromechanicznego K2) wykazały płytki o orientacji 45°XZ oraz ZX40°. Przeprowadzone badania termiczne potwierdziły możliwość wykorzystania tego piezoelektryka jako podłoża podzespołu wysokotemperaturowego. Zastosowana metoda badawczo – pomiarowa pozwala na szybkie szacowanie parametrów kryształu, jak również jego przydatności jako materiału piezoelektrycznego do zastosowań w podzespołach z AFP.
    This paper presents the piezoelectric properties of the SrLaGa3O7 (SLGO) crystal grown at ITME using the conventional RF-heating Czochralski method. SLGO, just like BaLaGa3O7 (BLGO), belongs to the group of compounds described by the general formula ABC3O7 (where A = Ca, Sr, Ba; B = La, Gd; C = Ga, Al). Measurements and calculation of SAW parameters were made for different crystal plane orientations. Better piezoelectric parameters were found in 45°XZ and ZX40° orientations of SLGO. The thermal study confirmed the possibility of using this crystal as a high-temperature component base. The applied research and measurement method allows a quick estimation of the parameters of the crystal, as well as evaluation of its usefulness as a piezoelectric material for application in SAW components.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 3-8
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Potentialities of modification of metal oxide varistor microstructures
    Możliwości modyfikacji mikrostruktury warystorów tlenkowych
    Autorzy:
    Mielcarek, W.
    Prociow, K.
    Warycha, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192094.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warystor ZnO
    mikrostruktura
    ceramika półprzewodnikowa
    domieszkowanie
    Bi2O3
    ZnO varistor
    microstructure
    semiconducting ceramic
    doping
    Opis:
    The electrical properties of varistors, similarly like posistors and other devices made of semiconducting ceramic, are controlled by grain boundaries. In varistor conductivity the main role play potential barriers which arise at grain boundaries during varistor sintering. The I-V behavior of varistor ceramic is such that during conduction the varistor voltage remains relatively constant while a current changes are of several orders of magnitude. Varistor is produced by sintering a mixture of ZnO with a small addition of Bi2O3 and other metal oxides. Varistor microstructure composes of ZnO grains. Each ZnO grain acts as it has a semiconducting junction at the grain boundary. The non-linear electrical behavior occurs at the boundary of each ZnO grain. The junctions between grains are separated by an intergranular phase. The best varistor performance is attained when the Bi-rich intergranular layer is of nanometer size. When the intergranular phase is in a shape of agglomerates embedding Bi2O3 crystal phases and spinel grains it forms areas excluded from conduction. The problem has been studied with emphasis on determining the relation between ZnO dopants and microstructure evolution. It was established that the vulnerability of varistor ceramic for formation of agglomerates depend on the composition of additive oxides. With SrO, MnO and PbO varistor ceramic is more susceptible for formation of agglomerates, while Co2O3, Sb2O3 and SnO2 facilitates the homogenous distribution of additives in varistor body. Elimination of an electrically inactive areas from varistor body would enable the decrease of the amount of additives (e.g. the amount of Bi2O3 would decrease from 1 mol % to 0.2 mol %) and bring about the diminishment of the cost of varistor processing along with improvement of varistor performance.
    Własności elektryczne warystorów, podobnie jak pozystorów i innych wyrobów z ceramiki półprzewodnikowej, są kontrolowane przez ukształtowanie granicy ziaren. Ceramika warystorowa ZnO swoje niewłaściwości elektryczne zawdzięcza domieszce małej ilości innych tlenków metali. Mikrostruktura warystora rozwija się podczas spiekania. Głównym elementem mikrostruktury warystora są ziarna ZnO odseparowane od siebie cienką , bogatą w bizmut, warstwą międzyziarnową. Najlepsze własności elektryczne warystor wykazuje wtedy, kiedy warstwa ta jest możliwie cienka. Jeżeli warstwa ta jest w formie aglomeratów, a w dodatku zawiera w sobie wykrystalizowany Bi2O3 lub krystality innych związków to tworzy obszar wykluczony z przewodnictwa. W warystorze o takiej strukturze w czasie przepływu prądu dochodzi do miejscowych przegrzań i zakłóceń w działaniu. W pracy udowodniono doświadczalnie, że spiekając wstępnie tlenek bizmutu z tlenkami innych metali można wpływać na kształt warstwy miedzyziarnowej, a więc i na elektryczne własności warystora. Przeprowadzone doświadczenia dowiodły, że jeżeli Bi2O3 przed dodaniem do warystora spieczemy wstępnie z tlenkami Co, Sb lub Sn to tak zmodyfikowany tlenek bizmutu sprzyja równomiernemu rozprowadzeniu domieszek w warystorze przyczyniając się do eliminacji ze struktury warystora obszarów nieaktywnych elektrycznie. Natomiast wstępne modyfikowanie tlenku bizmutu tlenkami tzw. szkłotwórczymi jak PbO, SrO i MnO nie przynosi podobnego efektu.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 1, 1; 86-98
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Determination of the thickness of BN layers on the Al2O3 substrate by FT-IR spectroscopy
    Wyznaczanie grubości warstw BN na podłożu Al2O3 za pomocą spektroskopii FT-IR
    Autorzy:
    Możdżonek, Małgorzata
    Caban, Piotr A.
    Gaca, Jarosław
    Wójcik, Marek
    Piątkowska, Anna
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1831402.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    h-BN layers
    ATR
    IRR
    XRR
    thickness measurement
    Al2O3
    warstwy h-BN
    pomiar grubości
    Opis:
    Hexagonal boron nitride (h-BN) is an attractive material for applications in electronics. The technology of devices based on BN requires non-destructive and fast methods of controlling the parameters of the produced layers. Boron nitride layers of different thickness were grown on sapphire substrates (Al2O3) using the MOCVD method. The obtained films were characterized by FT-IR spectroscopy using IRR and ATR techniques and by the XRR and SEM methods. We showed that by analyzing the ATR or reflectance spectrum in the range of 600-2500 cm-1 we can measure the thickness of a BN layer on the Al2O3 substrate. Our measuring method allows measuring the layers with a thickness from ~2 nm to approx. 20 nm.
    Heksagonalny azotek boru (h-BN) jest atrakcyjnym materiałem do zastosowań w elektronice. Technologia wytwarzania urządzeń z zastosowaniem warstw h-BN wymaga nieniszczących i szybkich metod kontroli parametrów produkowanych warstw. Warstwy azotku boru o różnej grubości wyhodowano na podłożach szafirowych metodą MOCVD. Otrzymane warstwy scharakteryzowano za pomocą spektroskopii FT-IR z użyciem technik IRR i ATR oraz metodami XRR i SEM. Pokazaliśmy, że analizując widmo ATR lub odbicia w zakresie 600-2500 cm-1 można zmierzyć grubość warstwy BN na podłożu Al2O3. Nasza metoda pomiarowa pozwala na pomiar warstw o grubości od ~2 nm do ok. 20 nm.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2020, T. 48, nr 1-4, 1-4; 15-20
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mechanika kruchego pękania ceramiki korundowej wzmocnionej płatkami grafenowymi
    Fracture mechanics of graphene flake-reinforced alumina ceramics
    Autorzy:
    Boniecki, M
    Librant, Z.
    Wajler, A.
    Węglarz, H.
    Wesołowski, W.
    Koziński, R.
    Librant, K.
    Piątkowska, A.
    Romaniec, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192016.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    grafen
    Al2O3
    kompozyt korundowo-grafenowy
    granulacja
    właściwości mechaniczne
    graphene
    alumina-graphene composite
    granulation
    mechanical properties
    Opis:
    W pracy przedstawiono rezultaty badań nad wytworzeniem kompozytów ceramiki korundowo - grafenowej. Do otrzymania próbek użyto submikronowy proszek Al2O3 o czystości 99,99 % firmy Taimei oraz tlenek grafenu otrzymany w Zakładzie Technologii Chemicznych ITME. Kompozyty wykonano na bazie wodnej mieszaniny obu składników stosując metodę granulacji kriogenicznej. Wykonano kompozyty o zawartości ok.: 0,02, 0,05 i 0,29 % objętości grafenu. Spektroskopia Ramana potwierdziła obecność grafenu w otrzymanych kompozytach. W pracy przeprowadzono badania wpływu udziału grafenu na mikrostrukturę oraz właściwości mechaniczne wytworzonych kompozytów. Stwierdzono, że w funkcji zawartości grafenu zwiększa się porowatość otrzymanych próbek oraz jednocześnie zmniejsza się wielkość ziaren korundowych. Powoduje to zmniejszanie się twardości Vickersa i modułu Younga. Wytrzymałość na zginanie osiąga maksimum równe 295 ± 32 MPa dla zawartości grafenu 0,02 % objętości, a następnie maleje dla większych zawartości grafenu do wartości ~ 230 MPa odpowiadającej ceramice korundowej. Odporność na pękanie mierzona metodą zginania trójpunktowego belek z karbem wynosi około 3,9 MPam1/2 . Zdjęcia przełamów oraz pęknięć wokół odcisków Vickersa pokazują obecność mostków grafenowych na granicach ziaren co może powodować obserwowany wzrost wytrzymałości kompozytu w porównaniu z czystą ceramiką korundową.
    The aim of this study was the preparation of alumina-graphene composites using commercial submicron Al2O3 powder (by Taimei, with a purity of 99.99 %) and graphene oxide fabricated at the Department of Chemical Technology of ITME. In order to obtain a uniform powder mixture containing graphene vol % of 0.02, 0.05 and 0.29 the aqueous suspensions were produced by freeze granulation. Raman spectroscopy confirmed the presence of graphene in the resultant composites. The influence of the graphene content on the microstructure and mechanical properties of the composites was analyzed. It was found that the porosity level increases and the grain size of the composites decreases when the graphene content rises. As a result, both Vickers hardness and Young’s modulus are decreased. Bending strength reaches its maximum level of 295 ± 32 MPa for the graphene content of 0.02 vol % and next decreases to about 230 MPa, which corresponds to the value obtained for pure alumina. Fracture toughness measured using a three point bending test for notched beams is around 3.9 MPam1/2 . SEM pictures of the broken samples and Vickers cracks indicate the presence of graphene bridges at grain boundaries, which is likely to increase the strength of the composite when compared with that of pure corundum ceramics.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 4, 4; 3-9
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies