Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Z.R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 170
Tytuł:
In Situ Monitoring of Electroepitaxial Growth of Thick AlGaAs Layers
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929752.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
In situ growth monitoring technique has been used to analyse growth disturbances during the liquid phase electroepitaxial growth of thick AlGaAs layers. It allowed us to explain the nature of growth instability occurring at the end of the growth and affecting the maximum thickness of AlGaAs layers obtainable by liquid phase electroepitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial Lateral Overgrowth - a Tool for Dislocation Blockade in Multilayer Systems
Autorzy:
Zytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969007.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
81.15.Lm
68.60.Bs
61.72.Ff
Opis:
Results on epitaxial lateral overgrowth of GaAs layers are reported. The methods of controlling the growth anisotropy, the effect of substrate defects filtration in epitaxial lateral overgrowth procedure and influence of the mask on properties of epitaxial lateral overgrowth layers will be discussed. The case of GaAs epitaxial lateral overgrowth layers grown by liquid phase epitaxy on heavily dislocated GaAs substrates was chosen as an example to illustrate the processes discussed. The similarities between our results and those reported recently for GaN layers grown laterally by metallorganic vapour phase epitaxy will be underlined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 219-227
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electroepitaxial Growth of GaSb and AlGaSb Thick Epitaxial Layers
Autorzy:
Zytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934052.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
Semi-bulk epitaxial layers of GaSb and AlGaSb up to 3 and 1 mm thick, respectively, were successfully grown by the liquid phase electroepitaxy on GaSb substrates. The growth procedure allowed us to achieve high crystallographic perfection as well as compositional uniformity of ternary layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 965-968
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New DX-Related Photoinduced Absorption in AlGaAs:Te
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890990.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
Absorption measurements on thick AlGaAs:Te layers reveal a new absorption band at ca. 0.55 eV. Also the absorption coefficient of the DX-center ground state was measured directly for the first time.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 397-400
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On the High Compositional Uniformity of Thick GaAlAs Layers Grown by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Miotkowska, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923664.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
The results of electroepitaxial growth of thick GaAlAs layers on GaAs substrates are presented. It is experimentally proven that effective convective mixing of the solution volume results in the compositional uniformity of GaAlAs layers, even in spite of the high compositional non-uniformity of the material supplying the solutes (Al, As) to the solution during the growth of the layers. For the first time this allowed us to grow uniform GaAlAs layers with thicknesses up to 200-300 μm in a wide composition range from a small (5 g) amount of solution.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 765-768
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Role of Intermediate Charge State in the DX Center Photoionisation in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As:Se
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923786.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
Detailed studies of the DX center absorption are presented. They. studies performed on thick AlGaAs:Te layers, give a strong indication for the influence of the intermediate charge state on the DX center photoionisation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 801-804
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Substrate Defects Filtration During Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968454.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
Opis:
Results on the growth of GaAs on (001) GaAs substrates by the epitaxial lateral overgrowth technique are reported. We show that the ratio of normal to lateral growth rates in the epitaxial lateral overgrowth process can be controlled by the crystallographic orientation of the seeds and by Si adding to the melt. Experimental data showing that the dislocations threading from the substrate are efficiently filtered and cannot propagate to the epitaxial lateral overgrowth layers are presented. These findings prove that the epitaxial lateral overgrowth process is the powerful method to grow epilayers with low dislocation density on high dislocation density substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1079-1082
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New Local Vibrational Modes Related to Silicon in Bulk AlGaAs
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobaczewski, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933798.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
63.20.Pw
61.72.Vv
71.55.Eq
Opis:
A silicon-related local vibrational mode absorption in AlGaAs is reported for the first time. It consists of six peaks grouped around 450 cm$\text{}^{-1}$ which form a distinct pattern. We believe that the new local vibrational mode absorption is a fingerprint of a single defect. Among the discussed microscopic structures the most plausible is a Si$\text{}_{Ga}$-Si$\text{}_{As}$ pair complex with Si$\text{}_{As}$ acceptor interacting with different Ga, Al nearest neighbour local environments.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 759-762
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoinduced Defects Creation on Sulfur Passivated Surface of GaAs
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Dobaczewski, L.
Gomez, D.
Briones, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968456.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.Dv
68.45.Da
Opis:
We report on photoinduced defect creation on the sulfurized (100) GaAs surface. The process manifests itself by unrecoverable temporal decrease in the photoluminescence intensity of the GaAs surface treated by (NH$\text{}_{4}$)$\text{}_{2}$S$\text{}_{x}$ solution. The results are discussed in terms of a photoinduced process of the As$\text{}_{Ga}$ antisite generation on the sulfurized surface of GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1083-1086
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Faraday Rotation in Multiple Quantum Wells of GaAs/AlGaAs
Autorzy:
Dudziak, E.
Bożym, J.
Pruchnik, D.
Wasilewski, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952529.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
73.20.Dx
78.66.Fd
Opis:
We report on the results of first measurements of the Faraday rotation of modulated n-doped multiple quantum wells of GaAs/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (x = 0.312). The measurements have been performed in the magnetic fields up to 13 T at the temperature of 2 K, in the spectral region of interband transitions. A rich structure of magneto-excitons has been found in the measured spectra. Faraday rotation (phase) measurements are proposed as an alternative method to photoluminescence excitation for investigations of magneto-excitons in quantum wells. The dependence of the measured Faraday rotation on magnetic field and hypothetical connections with quantum Hall effect are also discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1022-1026
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Picosecond Transient Absorption Spectra and the Twisted Intramolecular Charge Transfer Phenomenon
Autorzy:
Dobkowski, J.
Grabowski, Z. R.
Jasny, J.
Zieliński, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933607.pdf
Data publikacji:
1995-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
06.60.In
36.20.Kd
Opis:
An improved model of a computer-controlled picosecond absorption spectrometer was designed and constructed. Its operation is described, and applied to the measurement of transient spectra of p-N, N-dioctylamino-acetophenone. The spectroscopy and photophysics of this compound are compared to the other compounds exhibiting the dual fluorescence, assigned usually to the adiabatic formation of the "twisted" intramolecular charge transfer excited state. The data are discussed in relation to alternative suggestion of an inversion of the pyramidal amino nitrogen atom. The whole evidence supports the decoupling of the π-electronic systems of D+ and A- in the D+-A- polar excited state, in full accord with the "twisted" intramolecular charge transfer model. The peculiar behaviour of the long alkyl -NR2 derivatives (favouring the "twisted" intramolecular charge transfer state emission) seems to be primarily due to the decreasing oxidation potential of such electron donor groups.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 3; 455-468
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Large Filling-Factor-Dependent Spin Splitting in Magnetooptic Kerr Effect in GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells
Autorzy:
Dudziak, E.
Bozym, J.
Pruchnik, D.
Wasilewski, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969050.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
73.20.Dx
78.66.Fd
Opis:
Magnetooptic Kerr effect in GaAs/Al$\text{}_{0.312}$Ga$\text{}_{0.688}$As multiple quantum wells was investigated in the integer quantum Hall regime. The measurements have been performed in magnetic fields up to 14.5 T, at the temperature of 1.8 K. Experimental data indicate the discontinuous behavior of the magnetooptic Kerr effect spectrum as a function of the filling factor. For odd filling factor values ν=3 and 5 we observe the large spin splitting. The effects cannot be explained in the one-particle model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 291-296
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Molecular Beam Epitaxy of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb and Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As: New Donor Doping Sources
Autorzy:
Dobaczewski, L.
Missous, M.
Singer, K. E.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929771.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Bd
61.50.Cj
71.55.Eq
Opis:
The first results obtained with the use of Ga$\text{}_{2}$S$\text{}_{3}$ and Ga$\text{}_{2}$Se$\text{}_{3}$ compounds as sources of donor elements for molecular beam epitaxy of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb (0 ≤ x ≤ 1) and Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (0 ≤ x ≤ 0.4) are reported. In GaAs free electron concentrations obtained when incorporating the donors from these sources can be easily controlled in the range of three orders of magnitude. For Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb it was possible to compensate the high concentration of native acceptors and to obtain n-type of conductivity.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 826-828
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Alloy Splitting of the Te-DX States in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:
Ostermayer, G.
Jantsch, W.
Dobosz, D.
Żytkiewicz, Z. R.
Wilamowski, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929750.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:
We report investigations of the Hall effect and conductivity of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (x = 0.3). After illumination at low temperature, the conductivity decreases in two steps on warming. These steps are explained in terms of the two sets of energy levels associated with two types of Te-DX centers depending on the neighboring host cation (Ga or Al) which undergoes the 1attice relaxation. The observed persistent increase in mobility is also explained in terms of the two different capture barriers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 769-772
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photo-ESR Study of the DX to Shallow Donor Conversion in Te Doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:
Surma, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Fronc, K.
Stalinga, P.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929747.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
76.30.Lh
78.66.Fd
Opis:
Results of detailed electron spin resonance (ESR) study of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As epilayers with x = 0.41, 0.42, and 0.5 Al fractions are presented. It is shown that the ESR signal observed critically depends on cooling steps and that the shallow donor ESR signal can be observed prior to illumination. The first ESR study of AlGaAs layers with removed GaAs substrate are presented. The mechanism of the enhanced photosensitivity of the ESR signal is explained. It is found very paradoxical that the ESR signals decreases upon the illumination even though shallow donor concentration is increased.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 757-760
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 170

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies