Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Staszewska, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Lattice Constant of Doped Semiconductor
    Autorzy:
    Leszczyński, M.
    Litwin-Staszewska, E.
    Suski, T.
    Bąk-Misiuk, J.
    Domagała, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933910.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Vv
    65.70.+y
    Opis:
    The paper shows an influence of doping on lattice constant of a semiconductor. Three effects are discussed: (i) "size" effect caused by a different ionic radii of dopant and host atoms, (ii) lattice expansion by free electrons proportionally to the deformation potential of the conduction-band minimum occupied by this charge, (iii) different thermal expansion of the undoped and doped samples. The experiments have been performed by using the high resolution X-ray diffraction at 77-770 K on AlGaAs:Te and GaAs:Si.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 837-840
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Near IR Refractive Index for GaInN Heavily Doped with Silicon
    Autorzy:
    Cywiński, G.
    Kudrawiec, R.
    Rzodkiewicz, W.
    Kryśko, M.
    Litwin-Staszewska, E.
    Misiewicz, J.
    Skierbiszewski, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791356.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.uj
    78.66.Fd
    81.15.Hi
    68.55.-a
    78.20.-e
    Opis:
    The authors report on growth and results of infrared measurements of GaInN heavily doped with silicon. The lattice matched to GaN epitaxial layer of $Ga_{0.998}In_{0.002}N:Si$ has been grown in plasma assisted molecular beam epitaxy in the metal rich conditions. The room temperature Hall concentration and mobility of electrons are 2× $10^{20} cm^{-3}$ and 67 $cm^{2}$/(Vs), respectively. The refractive index has been determined by variable angle spectroscopic ellipsometry. The refractive index exhibited a significant reduction of its value (from 2.25 to 2 at 1.55 μm) at near IR range where are the main interests of potential applications for nitride based intersubband devices. Reported here values of refractive indices at 1.55 and 1.3 μm are appropriate for fabrication of cladding layers with the required contrast to GaN for intersubband devices. The observed drop of refractive index is attributed to the carrier-induced plasma edge effect, which has been directly observed in reflectance spectrum.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 936-938
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spatial Correlations of Donor Charges in MBE CdTe
    Autorzy:
    Suski, T.
    Wiśniewski, P.
    Litwin-Staszewska, E.
    Wasik, D.
    Przybytek, J.
    Baj, M.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Zakrzewski, A.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934021.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Ey
    71.55.Gs
    Opis:
    We present experimental evidence that at high pressures indium donors in CdTe localize electrons in spatially correlated manner. We have studied Hall mobility, μ$\text{}_{H}$, as a function of electron concentration, n$\text{}_{H}$, at T=77 K. Changes of n$\text{}_{H}$ have been achieved by two methods. High pressure freeze-out of electrons onto localized states of In-donors leads to the mobility enhancement with respect to the situation when n$\text{}_{H}$ has been modified by means of a subsequent annealing of the sample. As a result, depending on the degree of spatial correlations in the impurity charges arrangement, different values of μ$\text{}_{H}$ correspond to the same value of n$\text{}_{H}$. The variation of mobility with electron concentration suggests that the localized state of In-donor represents likely negatively charged DX state.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 929-932
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Weak Antilocalization in Quantum Wells
    Autorzy:
    Knap, W.
    Skierbiszewski, C.
    Litwin-Staszewska, E.
    Kobbi, F.
    Zduniak, A.
    Robert, J.
    Pikus, G.
    Iordanskii, S.
    Mosser, V.
    Zekentes, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873111.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.15.Lh
    73.20.Fz
    72.15.Rn
    Opis:
    Spin relaxation in degenerated two-dimensional (2D) electron gas is studied by measurements of the magnetic field dependence of the weak antilocalization corrections to the conductivity in GaInAs quantum wells. Consistent quantitative (up to order of magnitude) description of weak antilocalization data on GaAs like heterojunctions and quantum wells was obtained. Our results show that spin precession around the effective magnetic field direction as described by the Dyakonov-Perel model is the main spin relaxation mechanism in degenerated 2D electron gas in semiconductors with no inversion symmetry.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 427-432
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High Resistivity GaN Single Crystalline Substrates
    Autorzy:
    Porowski, S.
    Boćkowski, M.
    Łucznik, B.
    Grzegory, I.
    Wróblewski, M.
    Teisseyre, H.
    Leszczyński, M.
    Litwin-Staszewska, E.
    Suski, T.
    Trautman, P.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968415.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    72.80.Ey
    Opis:
    High resistivity 10$\text{}^{4}$-10$\text{}^{6}$ Ω cm (300 K) GaN single crystals were obtained by solution growth under high N$\text{}_{2}$ pressure from melted Ga with 0.1-0.5at.% of Mg. Properties of these crystals are compared with properties of conductive crystals grown by a similar method from pure Ga melt. In particular, it is shown that Mg-doped GaN crystals have better structural quality in terms of FWHM of X-ray rocking curve and low angle boundaries. Temperature dependence of electrical resistivity suggests hopping mechanism of conductivity. It is also shown that strain free GaN homoepitaxial layers can be grown on the Mg-doped GaN substrates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 958-962
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Blue Laser on High N$\text{}_{2}$ Pressure-Grown Bulk GaN
    Autorzy:
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Krukowski, S.
    Łucznik, B.
    Wróblewski, M.
    Weyher, J.
    Leszczyński, M.
    Prystawko, P.
    Czernecki, R.
    Lehnert, J.
    Nowak, G.
    Perlin, P.
    Teisseyre, H.
    Purgał, W.
    Krupczyński, W.
    Suski, T.
    Dmowski, L.
    Litwin-Staszewska, E.
    Skierbiszewski, C.
    Łepkowski, S.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2030423.pdf
    Data publikacji:
    2001-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Opis:
    In this note we report briefly on the details of pulsed-current operated "blue" laser diode, constructed in our laboratories, which utilizes bulk GaN substrate. As described in Ref. [1] the substrate GaN crystal was grown by HNPSG method, and the laser structure was deposited on the conducting substrate by MOCVD techniques (for the details see Sec. 2 and Sec. 4 of Ref.~[1], respectively).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 229-232
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies