Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Shi, Qing" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
A Single-Photon Router in Quantum Fluctuation of Field
Autorzy:
Liu, Li-Wei
Shi, Yu-Qing
Qiong, Chen
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1032595.pdf
Data publikacji:
2017-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
single-photon quantum router
Bose-Einstein condensate
cavity optomechanical
Opis:
We investigate a single-photon quantum router in quantum fluctuation of fields. The optomechanical system composed of a cigar-shaped Bose-Einstein condensate trapped in an ultrahigh-finesse Fabry-Pérot cavity. We show how an analog of electromagnetically induced transparency in an optomechanical system can be used to produce a switch for a quantum fluctuation field using very low pumping field strength. The numerical results show that the output photon is completely different by turning the pump off and turning the pump on. We also show that the quantum noise sources are very small. This optomechanical system can serve as a single-photon quantum router.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 4; 1358-1362
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterized Microstructure and Electrical Properties of Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Films by Raman and Electrical Conductivity Spectra
Autorzy:
Xiao-Yong, Gao
Jian-Tao, Zhao
Yu-Fen, Liu
Qing-Geng, Lin
Yong-Sheng, Chen
Jin-Hua, Gu
Shi-E, Yang
Jing-Xiao, Lu
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1808127.pdf
Data publikacji:
2009-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.23.Cq
73.61.-r
Opis:
Microstructure and electrical properties of hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) film deposited on glass substrate at low temperature were characterized by average grain size, crystallinity, and dark electrical conductivity data obtained from the Raman and electrical conductivity spectroscopy, respectively. The average grain size, crystallinity and electrical conductivity have a similar change with substrate temperature. A threshold substrate temperature determined by silane concentration appears in their corresponding spectroscopy vs. substrate temperature. The dependence of crystallinity, average grain size and electrical conductivity on substrate temperature were accounted for by surface diffusion model and heterojunction quantum dot model, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 3; 738-741
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies