Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Liu, Xiao" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Theoretical Calculations for Elastic and Thermodynamic Properties of NbN₂ under High Pressure
Autorzy:
Hou, Bao-Sen
Liu, Ke
Mao, Xiao-Chun
Tan, Jiao
Zhou, Xiao-Lin
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1032591.pdf
Data publikacji:
2017-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
high temperature and high pressure
elastic constants
anisotropy
Debye temperature
NbN₂
Opis:
The structural and elastic properties of NbN₂ at high pressures were investigated through the first-principles calculation. Results indicate that NbN₂ is a potential hard material. NbN₂ meets mechanical stability criteria and possesses ductility within the pressure of 100 GPa. The elastic anisotropy under high pressure was achieved by the elastic anisotropy factors, which reduce with increasing pressure. Using the quasi-harmonic Debye model, we also investigated the thermodynamic properties of NbN₂.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 4; 1363-1370
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterized Microstructure and Electrical Properties of Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Films by Raman and Electrical Conductivity Spectra
Autorzy:
Xiao-Yong, Gao
Jian-Tao, Zhao
Yu-Fen, Liu
Qing-Geng, Lin
Yong-Sheng, Chen
Jin-Hua, Gu
Shi-E, Yang
Jing-Xiao, Lu
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1808127.pdf
Data publikacji:
2009-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.23.Cq
73.61.-r
Opis:
Microstructure and electrical properties of hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) film deposited on glass substrate at low temperature were characterized by average grain size, crystallinity, and dark electrical conductivity data obtained from the Raman and electrical conductivity spectroscopy, respectively. The average grain size, crystallinity and electrical conductivity have a similar change with substrate temperature. A threshold substrate temperature determined by silane concentration appears in their corresponding spectroscopy vs. substrate temperature. The dependence of crystallinity, average grain size and electrical conductivity on substrate temperature were accounted for by surface diffusion model and heterojunction quantum dot model, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 3; 738-741
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies