Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Karpińska, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    Current-Voltage Characteristic of Semi-Insulating GaAs, with Trap-Filling Effect
    Autorzy:
    Karpińska, K.
    Łusakowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1886537.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    Opis:
    A detailed investigation of current-voltage (I- V)characteristics of semi-insulating GaAs sample was performed in the vicinity of room temperature. The sample with 300 K resistivity of 2 x 10$\text{}^{7}$ Ω cm was supplied with guard-ring electrodes which allowed the elimination of surface currents. The observed characteristics started with an ohmic part which was followed by a superlinear current on voltage dependence. At a threshold voltage V$\text{}_{th}$ which corresponds to the electric field of about 2 kV/cm the current increased abruptly by a few orders of magnitude. The value of V$\text{}_{th}$ increased with the temperature. It is proposed that the observed shape of the I-V curve is caused by the filling of the EL2 level with injected electrons heated by the electric field.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 281-285
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nonlinear Coupling of Oscillatory Modes in Current Flow in Semi-Insulating GaAs
    Autorzy:
    Karpińska, K.
    Łusakowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1891273.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    Opis:
    Spontaneous current oscillations in semi-insulating (SI) GaAs sample caused by high electric field domains nucleation were perturbed by modulated illumination. Coupling between domain and photocurrent oscillations leads to quasiperiodic and frequency-locked behaviour. The observed Arnol'd tongues structure follows the Farey tree ordering and agrees with predictions of the circle map theory. We also suggest a possible mechanism responsible for the coupling of the modes.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 425-428
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hot Carrier Effects in Optically Detected Cyclotron Resonance Studies of III-V Semiconductors
    Autorzy:
    Karpińska, K.
    Dedulewicz, S.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1920978.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.35.+z
    72.70.+m
    76.90.+d
    Opis:
    The mechanisms of irregular photoluminescence intensity oscillations, as observed in optically detected cyclotron resonance experiments, are discussed. Two possible scenarios are analyzed, both requiring impact ionization of the center(s) by electric field accelerated free carriers. The first assumes coexistence of dielectric and energy relaxation processes. The second assumes a subsequent impact ionization of two different centers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 623-626
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Properties of Molecular Beam Epitaxy Grown ZnSe on GaAs
    Autorzy:
    Karpińska, K.
    Suchocki, A.
    Godlewski, M.
    Hommel, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929648.pdf
    Data publikacji:
    1993-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Bd
    68.55.Ln
    78.66.Fd
    Opis:
    Photoluminescence studies of molecular beam epitaxy grown ZnSe-on-GaAs layers are presented. The high sensitivity of the PL technique allowed for identification unintentional dopants in pure ZnSe sample. Characteristic photoluminescence lines due to extended defects were observed. The experimental results obtained show a correlation between intentional doping level and extended defects concentration. We conclude also that even though molecular beam epitaxy layers are grown at low temperature, the self-compensation mechanism may still be important. For heavily doped sample edge emission is deactivated likely due to efficient energy transfer link with deep donor-acceptor pair bands.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 551-554
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Rare-Earth Excitation Mechanism in Wide Band Gap H-VI Compounds
    Autorzy:
    Karpińska, K.
    Świątek, K.
    Godlewski, M.
    Niinistö, L.
    Leskelä, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929798.pdf
    Data publikacji:
    1993-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Gs
    76.30.Kg
    78.55.Et
    Opis:
    The excitation mechanism of rare-earth emission in Eu and Ce doped CaS and SrS is studied. It is proposed that the Eu and probably also Ce emission is induced by the photoionization transition of the rare-earth ion, which is followed by the carrier trapping via the excited state of the ion. At increased temperatures the efficiency of excitation is reduced. We explain this effect by the carrier emission from the excited core state of the rare-earth ion to the continuum of the conduction (valence) band states. It is also suggested that the charge transfer state of the rare-earth ion may act as the intermediate state in the carrier trapping.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 5; 959-962
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Excitation and Recombination Processes in InAs$\text{}_{x}$P$\text{}_{1-x}$:Yb (x=0.04, 0.07 and 0.11)
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Kozanecki, A.
    Karpińska, K.
    Bergman, J. P.
    Monemar, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1932083.pdf
    Data publikacji:
    1995-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    78.55.Cr
    71.35.+z
    Opis:
    Excitation and recombination mechanisms of Yb$\text{}^{3+}$ 4f-4f intra-shell emission in InP and InAsP (4, 7 and 11% of As) are analyzed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 217-220
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    AlGaAs to GaAs Energy Transfer Mechanisms in AlGaAs/GaAs Structures
    Autorzy:
    Karpińska, K.
    Godlewski, M.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Chen, W. M.
    Weber, E. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1921617.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    76.70.Hb
    78.55.Cr
    Opis:
    The results of photoluminescence and optically detected cyclotron resonance experiments are presented for thick AlGaAs epilayers grown by liquid phase electroepitaxy method on GaAs:Cr substrate. These results indicate an efficient energy transfer from excited AlGaAs to GaAs.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 713-716
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Characterization of CdZnSe/ZnSe Multiquantum Well System
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Karpińska, K.
    Bergman, J. P.
    Monemar, B.
    Kurtz, E.
    Hommel, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1932081.pdf
    Data publikacji:
    1995-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.60.-p
    71.35.+z
    76.70.Hb
    Opis:
    Optical properties of Cd$\text{}_{x}$Zn$\text{}_{1-x}$Se/ZnSe (x = 0.12) multiquantum well system are discussed. The transient photoluminescence and optically detected cyclotron resonance experiments demonstrate a strong contribution of bound exciton emission to the low temperature photoluminescence spectra.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 209-212
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies