Hot Carrier Effects in Optically Detected Cyclotron Resonance Studies of III-V Semiconductors

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Hot Carrier Effects in Optically Detected Cyclotron Resonance Studies of III-V Semiconductors
Autorzy:: Karpińska, K.
Dedulewicz, S.
Godlewski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1920978.pdf
Data publikacji:: 1992-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.35.+z
72.70.+m
76.90.+d
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 623-626
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The mechanisms of irregular photoluminescence intensity oscillations, as observed in optically detected cyclotron resonance experiments, are discussed. Two possible scenarios are analyzed, both requiring impact ionization of the center(s) by electric field accelerated free carriers. The first assumes coexistence of dielectric and energy relaxation processes. The second assumes a subsequent impact ionization of two different centers.

Informacja

Powiązane pozycje