Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Dyba, P." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Electrical Characterization of Defects in Schottky Au-CdTe:Ga Diodes
    Autorzy:
    Dyba, P.
    Płaczek-Popko, E.
    Zielony, E.
    Gumienny, Z.
    Szatkowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791359.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Dz
    85.30.De
    84.37.+q
    Opis:
    Deep electron states in gallium doped CdTe have been studied by deep-level transient spectroscopy method. The Schottky Au-CdTe diodes were processed to perform the investigations. Rectifying properties of diodes have been examined by the room temperature current-voltage and capacitance-voltage measurements. Deep-level transient spectroscopy measurements performed in the range of temperatures 77-350 K yield the presence of three electron traps. The thermal activation energies and apparent capture cross-sections have been determined from related Arrhenius plots. The dominant trap of activation energy $E_2$ = 0.33 eV and capture cross-section σ_2 = 3 × $10^{-15} cm^2$ has been assigned to the gallium related DX center present in the CdTe material.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 944-946
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Levels in GaN p-n Junctions Studied by Deep Level Transient Spectroscopy and Laplace Transform Deep-Level Spectroscopy
    Autorzy:
    Dyba, P.
    Placzek-Popko, E.
    Zielony, E.
    Gumienny, Z.
    Grzanka, S.
    Czernecki, R.
    Suski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048090.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ey
    71.55.Eq
    73.40.Kp
    Opis:
    p$\text{}^{+}$-n GaN diodes were studied by means of conventional deep level transient spectroscopy and Laplace transform deep-level spectroscopy methods within the temperature range of 77-350 K. Deep level transient signal spectra revealed the presence of a majority and minority trap of indistinguishable signatures. The Laplace transform deep-level spectroscopy technique due to its superior resolution allows us to unambiguously identify and characterize the traps. The apparent activation energy and capture cross-section for the majority trap were found to be equal to 0.63 eV and 2 × 10$\text{}^{-16}$ cm$\text{}^{2}$ and for the minority trap 0.66 eV and 1.6 × 10$\text{}^{-15}$ cm$\text{}^{2}$. It has been confirmed that the Laplace transform deep-level spectroscopy technique is a powerful tool in characterization of the traps of close signatures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 669-671
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Levels Induced by CdTe/ZnTe Quantum Dots
    Autorzy:
    Zielony, E.
    Placzek-Popko, E.
    Roznicka, A.
    Gumienny, Z.
    Szatkowski, J.
    Dyba, P.
    Pacuski, W.
    Kruse, C.
    Hommel, D.
    Guziewicz, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048061.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ga
    73.21.La
    73.20.Hb
    Opis:
    The electrical properties of the CdTe/ZnTe quantum dot system have been analyzed to identify deep-level defects related with the presence of quantum dots. The capacitance-voltage (C-V) and deep level transient spectroscopy measurements were used to investigate the samples. A reference ZnTe sample (without dots) was also studied for comparison. Both samples were grown by molecular beam epitaxy technique on the n-type GaAs substrate. The quantum dots were formed by a Zn-induced reorganization of a thin CdTe layer. The presence of quantum dot formation was confirmed by micro-photoluminescence measurements. The deep level transient spectra for both samples are complex. In order to characterize individual contributions to the deep level transient spectra the latter have been simulated by separated Gaussian components [1]. The results of the deep level transient spectroscopy measurements yield the conclusion that the same defects are present in both materials but there is an increased concentration of the defects in the quantum dot structures. No deep level associated directly with the quantum dot confinement has been identified.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 630-632
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies