Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "wlasciwosci optyczne" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Band electronic structure and dielectric functions of (C3N2H5)2SbF5 crystals
    Autorzy:
    Andriyevsky, B.
    Czapla, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118472.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    crystals
    first principles calculations
    electronic structure
    optical properties
    kryształy
    obliczenia z pierwszych zasad
    struktura elektronowa
    właściwości optyczne
    Opis:
    Structural and electronic properties of the ferroelastic crystal (C3N2H5)2SbF5 of the molecular type were studied by ab initio methods in the framework of the density functional theory. Band electronic structure, density of electronic states and dielectric functions in the range of valence electrons excitations of the crystal in the monoclinic phase (space group no. 11) have been obtained using the plane waves, ultrasoft pseudopotentials and van-der-Waals corrections. The electronic values obtained are discussed from the viewpoint of the layer-type crystal structure of (C3N2H5)2SbF5.
    Strukturalne i elektronowe właściwości ferroelektrycznego kryształu (C3N2H5)2SbF5 typu molekularnego zostały obliczone w ramach teorii funkcjonału gęstości (DFT) z wykorzystaniem odpowiedniej metody z pierwszych zasad (ab initio). Pasmowa struktura elektronowa, gęstość stanów elektronowych i funkcje dielektryczne w zakresie wzbudzenia elektronów walencyjnych kryształu zostały obliczone dla strukturalnej fazy jednoskośnej (grupa przestrzenna no. 11) z wykorzystaniem płaskich fal, super pseudopotencjałów miękkich i uwzględnienia poprawek na oddziaływania międzyatomowe typu van-der-Waalsa. Otrzymane wielkości elektronowe zostały omówione pod kątem warstwowej struktury krystalicznej (C3N2H5)2SbF5.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 10; 51-60
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of crystal defects on the electronic structure and dielectric functions of In0.5Tl0.5I solid state solutions
    Autorzy:
    Andriyevsky, Bohdan
    Kashuba, A.
    Ilchuk, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118313.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    semiconductors
    point defects
    electronic band structure
    electrical transport
    optical properties
    computer simulations
    półprzewodniki
    wada punktowa
    struktura pasmowa
    transport elektryczny
    właściwości optyczne
    symulacje komputerowe
    Opis:
    We investigate an influence of the various crystal structure imperfections on the electronic properties and dielectric functions for In0.5Tl0.5I semiconductor in the frame of the density functional theory calculations. The tensor of electron effective mass m*ij of InI, In0.5Tl0.5I and TlI crystals has been calculated for the valence and conduction bands and different K-points of Brillouin zone. Dielectric functions ε(hν) of the defective crystals based on In0.5Tl0.5I solid state solution with iodine vacancy and thallium interstitial atom were calculated taking into consideration the inter-band and intra-band electron transitions. The studies of the defective crystals reveal increased low-frequency and stationary electron conductivity with anisotropy resulted from the anisotropy of the electron effective mass tensor. Our findings explain the origin of crucial changes in the band structure by formation the donor half-occupied levels close to the unoccupied conduction bands due to the crystal structure defects, i.e. iodine vacancy or thallium interstitial atom. It has been shown that in the case of real crystals, in particular metal-halides, the proper consideration of defects in quantum-chemical calculations results in a better matching of the theoretical and experimental results in comparison to the case when the perfect crystal structure had been used for calculations.
    Zbadano wpływ różnych niedoskonałości struktury krystalicznej na właściwości elektronowe i funkcje dielektryczne półprzewodnika In0.5Tl0.5I w ramach teorii funkcjonału gęstości. Został obliczony tensor efektywnej masy elektronów m* kryształów InI, In0.5Tl0.5I i TlI dla pasm walencyjnych i przewodnictwa oraz różnych K-punktów strefy Brillouina. Funkcje dielektryczne ε(hν) domieszkowanych kryształów roztworów stałych In0.5Tl0.5I z wakansami jodu i atomami międzywęzłowymi talu zostały obliczone z uwzględnieniem międzypasmowych i wewnątrz-pasmowych przejść elektronowych. Badania domieszkowanych kryształów ujawniły zwiększoną przewodność elektronową niskoczęstotliwościową i stacjonarną o anizotropii wynikającej z anizotropii tensora efektywnej masy elektronów. Przeprowadzone badania wyjaśniają obserwowane duże zmiany struktury pasmowej pochodzące z utworzenia pół wypełnionych poziomów donorowych w pobliżu niezajętych pasm przewodnictwa wynikających z defektów struktury krystalicznej, tj. wakansów jodu czy atomów międzywęzłową talu. Wykazano, że w przypadku kryształów rzeczywistych, w szczególności halogenków metali, właściwe uwzględnienie defektów w obliczeniach kwantowo-chemicznych daje możliwość lepszego dopasowania obliczeń teoretycznych do wyników doświadczalnych w porównaniu do obliczeń bazujących na strukturze krystalicznej doskonałej.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2019, 15; 35-56
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electronic-and-optical properties of Rb2ZnCl4 crystals
    Autorzy:
    Andriyevsky, B.
    Kurlyak, V.
    Stadnyk, V.
    Romanyuk, M.
    Stakhura, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118460.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    właściwości elektronowo-optyczne kryształów
    kryształy Rb2ZnCl4
    obliczenia ab initio
    współczynnik załamania
    komórka elementarna kryształu
    electronic-and-optical properties crystal
    Rb2ZnCl4 crystal
    Ab initio calculations
    refractive indices of Rb2ZnCl4
    crystal unit cell
    Opis:
    Electronic-and-optical properties of Rb2ZnCl4 crystal have been studied using the theoretical and experimental methods. First principles calculations of the electronic structure and optical properties using the density functional theory have been performed on the relaxed and uniaxially compressed (1 GPa) Rb2ZnCl4 crystal. The refractive indices of Rb2ZnCl4 have been measured in the spectral range of wavelength 300 nm to 750 nm for three principal uniaxial compression stresses (0.02 GPa) at room temperature. Ab initio calculations and analysis have revealed that the observed uniaxial pressure changes of the refractive indices of Rb2ZnCl4 are caused mainly by the corresponding changes of the crystal unit cell dimensions. The unit cell electronic polarizability of the crystal remains approximately unchanged.
    Zbadano właściwości elektronowo-optyczne kryształów Rb2ZnCl4 metodami teoretyczną i doświadczalną. Wykonano obliczenia z pierwszych zasad (ab initio) struktury elektronowej i właściwości optycznych na bazie teorii funkcjonału gęstości zrelaksowanych i jednoosiowo ściśniętych (1 GPa) kryształów. Zostały pomierzone współczynniki załamania Rb2ZnCl4 w przedziale długości fal światła 300 nm do 750 nm dla trzech głównych krystalograficznych kierunków ściskania (0.02 GPa) przy temperaturze pokojowej. Obliczenia ab initio i analiza danych ujawniły, że obserwowane baryczne zmiany współczynników załamania Rb2ZnCl4 są spowodowane głównie odpowiednimi zmianami rozmiarów komórki elementarnej kryształu. Przy tym, polaryzowalność elektronowa komórki kryształu pozostaję się prawie niezmienną.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2015, 8; 5-14
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies