Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gryglewski, W." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
A 100 W ISM 2.45 GHz-band power test system
Autorzy:
Wojtasiak, W.
Gryglewski, D.
Gwarek, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/307777.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
microwave precise heating
high power solid-state amplifier
push-pull GaAs FET
synthetsizer
power measurement unit
Opis:
This paper describes development of solid-state microwave power test system (MPTS) operating over 2.3 to 2.6 GHz with the output power level of 100 W for industrial applications in material processing, and for designing of microwave power industrial equipment. The MPTS unit consists of four major parts: PLL synthesizer, high power solid-state amplifier, detector probes for return losses and leakage measurement and microcontroller. The MPTS system is able to operate in either single fixed-frequency regime, or in swept mode with self-tuning for minimum reflection of a heated load.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 2; 23-28
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The 100 W class A power amplifier for L-band T/R module
Autorzy:
Wojtasiak, W.
Gryglewski, D.
Sędek, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308787.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
modelling
MESFETs
finite difference time domain method
power transistors
microwave transistors
Opis:
In the paper a balanced high power amplifier with class A silicon bipolar transistors for L-band T/R module is described. The amplifier was designed for maximum power and minimum transmitance distortions. The obtained parameters of the amplifier are as follow: output power at 1 dB compression P(1dB)>49 dBm, linear gain IS21I>10 dB, and transmitance deviations during the RF pulse: phase delta arg(S2)<0.9° and deltaP(out)<0.2 dB.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2002, 1; 11-13
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies