The 100 W class A power amplifier for L-band T/R module

Szczegóły
Opis

Tytuł:: The 100 W class A power amplifier for L-band T/R module
Autorzy:: Wojtasiak, W.
Gryglewski, D.
Sędek, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308787.pdf
Data publikacji:: 2002
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: modelling
MESFETs
finite difference time domain method
power transistors
microwave transistors
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2002, 1; 11-13
1509-4553
1899-8852
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

In the paper a balanced high power amplifier with class A silicon bipolar transistors for L-band T/R module is described. The amplifier was designed for maximum power and minimum transmitance distortions. The obtained parameters of the amplifier are as follow: output power at 1 dB compression P(1dB)>49 dBm, linear gain IS21I>10 dB, and transmitance deviations during the RF pulse: phase delta arg(S2)<0.9° and deltaP(out)<0.2 dB.

Informacja

Powiązane pozycje