Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sheng, W." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Theoretical investigation of vanadium oxide film with surface microstructure
Autorzy:
Hong, W.
Wang, Z.
Chen, Q.
Sheng, C.
Gu, G.
Luo, P.
Xie, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174416.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
vanadium oxide
VO2
film
surface microstructure
photonic band edge
dispersion material
Opis:
This paper presents a method to design a surface microstructure of vanadium oxide to enhance optical absorption. This method, using a density of eigenfrequency, can be calculated by a planar wave expand method, to indicate the absorption efficiency of a dispersion material, which can be used as an approach method for further design. Based on this, a nanostructure-based vanadium oxide film is designed and simulated to validate this method. The simulation results show that the tendency of density of eigenfrequency is corresponding to the tendency of optical absorption enhancement. Moreover, this structure can achieve high optical broadband absorption when the material dispersion is considered. High optical absorption enhancement can be achieved by adjusting the geometrical parameters; our maximum overall enhancement absorption ratio was 31.84% at the metal phase, which can be attributed to the enhancement effect of a photonic band edge.
Źródło:
Optica Applicata; 2017, 47, 4; 601-609
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fast and effective extraction for equivalent shunt resistances of triple-junction concentrator solar cells
Autorzy:
Lv, H
Dai, J
Sheng, F
Liu, W
Ma, X
Cheng, C
Lv, Q
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174425.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
concentrator photovoltaic
triple junction solar cell
equivalent shunt resistance
Opis:
Fast and effective extraction of equivalent shunt resistance for each subcell of GaInP/GaInAs/Ge triple-junction concentrator solar cells is presented. The two-diode model of single junction was introduced to establish the equivalent circuit of triple-junction solar cells. The current-voltage characteristic of the triple-junction solar cells was measured under AM1.5D spectrum, C = 576 and T = 303 K. Equivalent shunt resistance of each subcell was extracted from its estimated current-voltage curve. The estimated current-voltage curve of the triple-junction solar cells shows a good agreement with the experimental data in 0.31% deviation. The degradation in the equivalent shunt resistance for Ge subcell was intentionally introduced to indicate the mechanism of current-matching operation for different subcells, with the maximum output power of the triple-junction solar cells deteriorating from 3.5 to 3.17 W. The results can offer performance analysis and optimum design of photovoltaic applications.
Źródło:
Optica Applicata; 2015, 45, 2; 227-235
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies