Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Łukasiak, D." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Manipulation of compressed data using MPEG-7 low level audio descriptors
Autorzy:
Lukasiak, J.
Stirling, D.
Perrow, S.
Harders, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/307721.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MPEG-7
metadata
description
machine learning
multimedia retrieval
Opis:
This paper analyses the consistency of a set of MPEG-7 low level audio descriptors when the input audio stream has previously been compressed with a lossy compression algorithm. The analysis results show that lossy compression has a detrimental effect on the integrity of practical search and retrieval schemes that utilize the low level audio descriptors. Methods are then proposed to reduce the detrimental effects of compression in searching schemes. These proposed methods include improved searches, switched adaptive scalar and vector prediction, and other prediction schemes based on machine learning principles. Of the proposed schemes the results indicate that searching which incorporates previous and future frames combined with machine learning based prediction best nullifies the effects of compression. However, future scope is identified to further improve the reliability of the MPEG-7 audio descriptors in practical search environments.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2003, 2; 83-91
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs
Autorzy:
Tomaszewski, D.
Łukasiak, L.
Gibki, J.
Jakubowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308410.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
SOI MOSFET
floating body
avalanche ionization
recombination
displacement current
admittance
Opis:
An influence of the selected physical phenomena: impact ionization in silicon and time variation of internal electric field distribution in partially-depleted (PD) SOI MOSFETs on several C-V characteristics of these devices is presented. The role of avalanche multiplication in the so-called "pinch-off" region is discussed in a more detailed way. The analysis is done using a numerical solver of drift-diffusion equations in silicon devices and using an analytical model of the PD SOI MOSFETs. The calculations results exhibit the significance of proper modelling of the phenomena in the floating body area of these devices.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 57-60
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range
Autorzy:
Tomaszewski, D.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Domański, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308425.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
SOI MOSFET
subthreshold range
floating body
transconductance
Opis:
A steady-state model of partially-depleted (PD) SOI MOSFETs I-V characteristics in subthreshold range is presented. Phenomena, which must be accounted for in current continuity equation, which is a key equation of the PD SOI MOSFETs model are summarized. A model of diffusion-based conduction in a weakly-inverted channel is described. This model takes into account channel length modulation, drift of carriers in the "pinch-off" region and avalanche multiplication triggered by these carriers. Characteristics of the presented model are shown and briefly discussed.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 61-64
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices
Autorzy:
Malinowski, A.
Tomaszewski, D.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Sekine, M.
Hori, M.
Korwin-Pawlowski, M. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308253.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
FinFET
line edge roughness
parameter variability
plasma etching
technology computer aided design (TCAD)
Opis:
Extensive numerical simulations of FinFET structures have been carried out using commercial TCAD tools. A series of plasma etching steps has been simulated for different process conditions in order to evaluate the influence of plasma pressure, composition and powering on the FinFET topography. Next, the most important geometric parameters of the FinFETs have been varied and the electrical characteristics have been calculated in order to evaluate the sensitivity of the FinFET electrical parameters on possible FinFET structure variability.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2009, 4; 45-50
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities
Autorzy:
Głuszko, G.
Łukasiak, L.
Kilchytska, V.
Chung, T. M.
Olbrechts, B.
Flandrie, D.
Raskin, J. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308669.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
charge-pumping
electrical characterization
interface traps
SOI
water bonding
Si layer transfer
Opis:
The quality of the silicon-buried oxide bonded interface of SOI devices created by thin Si film transfer and bonding over pre-patterned cavities, aiming at fabrication of DG and SON MOSFETs, is studied by means of chargepumping (CP) measurements. It is demonstrated that thanks to the chemical activation step, the quality of the bonded interface is remarkably good. Good agreement between values of front-interface threshold voltage determined from CP and I-V measurements is obtained.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 61-66
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies