Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "compact modeling" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Advanced compact modeling of the deep submicron technologies
Autorzy:
Grabiński, W.
Bucher, M.
Sallese, J.-M.
Krummenacher, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309312.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
ultra deep submicron (UDSM) technology
compact modeling
EKV MOS transistor model
MOSFET
matching
low power
RF applications
Opis:
The technology of CMOS large-scale integrated circuits (LSI's) achieved remarkable advances over last 25 year and the progress is expected to continue well into the next century. The progress has been driven by the downsizing of the active devices such as MOSFETs. Approaching these dimensions, MOSFET characteristics cannot be accurately predicted using classical modeling methods currently used in the most common MOSFET models such as BSIM, MM9 etc, without introducing large number of empirical parameters. Various physical effects that needed to be considered while modeling UDSM devices: quantization of the inversion layer, mobility degradation, carrier velocity saturation and overshoot, polydepletion effects, bias dependent source/drain resistances and capacitances, vertical and lateral doping profiles, etc. In this paper, we will discuss the progress in the CMOS technology and the anticipated difficulties of the sub-0.25 žm LSI downsizing. Subsequently, basic MOSFET modeling methodologies that are more appropriate for UDSM MOSFETs will be presented as well. The advances in compact MOSFET devices will be illustrated using application examples of the EPFL EKV model
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 31-42
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Large-Signal RF Modeling with the EKV3 MOSFET Model
Autorzy:
Chalkiadaki, M. A.
Buchar, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308061.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
compact model
EKV3 model
large-signal
load-pull
MOSFET model
radio frequency
Opis:
This paper presents a validation of the EKV3 MOSFET model under load-pull conditions with high input power at 5.8 GHz, as well as S-parameter measurements with low input power up to 20 GHz. The EKV3 model is able to represent coherently the large- and small-signal RF characteristics in advanced 90 nm CMOS technology. Multifinger devices with nominal drawn gate length of 70 nm are used.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 29-33
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies