Autor: Szerling, A - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: The influence of MBE growth conditions on optical properties of InGlGaAs/AlGaAs structures
Autorzy:: Kosiel, K.
Regiński, K.
Szerling, A.
Piwoński, T.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/378399.pdf
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Opis:: Optical properties of compressively strained In₀.₂₄Al₀.₁₉Ga₀.₅₇As layers were investigated as a function of the MBE growth conditions. The optimum temperature of the crystal surface (T_s) for MBE growth of this quaternary layer as well as the optimal cooling down process necessary for achieving appropriate T_s for InAlGaAs were experimentally found.
Źródło:: Electron Technology : Internet Journal; 2004, 36, 4; 1-3
1897-2381
Pojawia się w:: Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Oval defects in crystals grown by MBE technique: study and methods of elimination abstract
Autorzy:: Szerling, A.
Kosiel, K.
Płuska, M.
Ochalski, T. J.
Ratajczak, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/378453.pdf
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Opis:: The paper is devoted to a group of macroscopic defects which may be found in epitaxial A³ B⁵ materials grown by MBE technique. Morphology, geometry and optical properties of defects were studied by means of several experimental methods. The experimental data have been compared with the information taken from literature concerning sources of the defects and causes of their appearance.
Źródło:: Electron Technology : Internet Journal; 2004, 36, 6; 1-5
1897-2381
Pojawia się w:: Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja