Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Bugajski, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
The role of photoluminescence excitation spectroscopy in investigation of quantum cascade lasers properties
Autorzy:
Wójcik-Jedlińska, A.
Gradkowski, K.
Kosiel, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378431.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
lasery
AlGaAs
lasery kaskadowe
fotoluminescencja
modelowanie numeryczne
spektroskopa
lasers
Quantum Cascade Laser (QCL)
photoluminescence
numerical simulations
spectroscopy
Opis:
The properties of quantum cascade laser (QCL) structures have been investigated by optical technique based on spontaneous emission measurements: photoluminescence excitation (PLE) spectroscopy. Three types of test structures used for obtaining final QCL device were examined , i.e., single sequence of coupled quantum wells, which form an active region of the device, 30 sequences of this active region separated by 25 nm thick AlGaAs barriers and finally complete, undoped structure consisting of 30 of sequences repeated active regions and superlattice injectors. The results has been compared with numerical simulations. The role of such measurements has also been discussed.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2005-2006, 37/38, 10; 1-4
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The influence of MBE growth conditions on optical properties of InGlGaAs/AlGaAs structures
Autorzy:
Kosiel, K.
Regiński, K.
Szerling, A.
Piwoński, T.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378399.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Opis:
Optical properties of compressively strained In₀.₂₄Al₀.₁₉Ga₀.₅₇As layers were investigated as a function of the MBE growth conditions. The optimum temperature of the crystal surface (Ts) for MBE growth of this quaternary layer as well as the optimal cooling down process necessary for achieving appropriate Ts for InAlGaAs were experimentally found.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2004, 36, 4; 1-3
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies