Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Piskorski, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    GaInNAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting lasers emitting at 2.33 μm
    Autorzy:
    Piskorski, Ł.
    Sarzała, R. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/199958.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    simulation of a diode-laser operation
    QW VCSELs
    mid-infrared radiation
    dilute nitrides
    Opis:
    In the present paper, the comprehensive fully self-consistent optical-electrical-thermal-recombination model is used to determine the optimal structure of the possible GaInNAs quantum-well (QW) tunnel-junction (TJ) vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with single-fundamental-mode operation at 2.33 μm wavelength suited for carbon monoxide sensing applications. From among various considered structures, the diode laser with 4-μm TJ and two 6-nm Ga0.15In0.85N0.015As0.985/Ga0.327In0.673As0.71P0.29 QWs has the lowest threshold current and seems to be optimal for the above applications. Higher threshold currents are obtained for Ga0.15In0.85N0.015As0.985/Al0.138 -Ga0.332In0.530As QW structures but the latter can be grown in reactors without P source which are used for fabrication of GaAs-based devices. Both the modelled VCSELs offer a very promising room temperature continuous wave performance and may represent an alternative choice to GaSb-based lasers.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2013, 61, 3; 737-744
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparative analysis of GaAs- and GaSb-based active regions emitting in the mid-infrared wavelength range
    Autorzy:
    Piskorski, Ł.
    Frasunkiewicz, L.
    Sarzała, R. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200684.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    strained QWs
    GaInNAs
    GaInAsSb
    mid-infrared radiation
    numerical analysis
    napięte konstrukcje QWs
    analiza numeryczna
    Opis:
    In the present paper the results of the computer analysis of the GaAs-based and GaSb-based active regions that can be applied in compact semiconductor laser sources of radiation at mid-infrared wavelengths are presented. Quantum well material contents and strain dependencies on the maximal gain are investigated. It is shown that above 3 μm the maximal gain obtained for GaInNAs/AlGaInAs active region is high only for thick, highly-strained GaInNAs QWs with N concentration higher than 2%. Much higher gain in this wavelength range can be obtained for GaInAsSb/AlGaAsSb active region, which offers relatively high gain even at 4.5 μm when the Sb content in GaInAsSb and compressive strain in this layer are equal to 50% and − 2%, respectively.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2015, 63, 3; 597-603
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers
    Autorzy:
    Kuc, M.
    Sokół, A. K.
    Piskorski, Ł.
    Dems, M.
    Wasiak, M.
    Sarzała, R. P.
    Czyszanowski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200863.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    edge-emitting lasers
    InGaN/GaN
    computer simulation
    ITO
    optical confinement
    Opis:
    This paper presents the results of a numerical analysis of nitride-based edge-emitting lasers with an InGaN/GaN active region designed for continuous wave room temperature emission of green and blue light. The main goal was to investigate whether the indium thin oxide (ITO) layer can serve as an effective optical confinement improving operation of these devices. Simulations were performed with the aid of a self-consistent thermal-electrical-optical model. Results obtained for green- and blue-emitting lasers were compared. The ITO layer in the p-type cladding was found to effectively help confine the laser mode in the active regions of the devices and to decrease the threshold current density.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 1; 147-154
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies