Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Panek, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    The Influence of the Base Material Parameters on Quantum and Photoconversion Efficiency of the Si Solar Cells
    Autorzy:
    Panek, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352268.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    silicon solar cell
    dopant level
    charge carrier lifetime
    Opis:
    The influence of a p-type Si with different resistivity, charge carrier lifetime and emitter dopant impurities concentration on the crystalline silicon solar cells parameters were analyzed and experimentally checked. The findings were determined by quasi-steady-state photoconductance, current-voltage and spectral response methods. The study was accompanied by solar device simulation using a numerical PC1D program. The highest photoconversion efficiency of 15.13 % was obtained for the moncrystalline (Cz-Si) solar cell with a base resistivity of 1.8 Ωcm and an effective charge carrier lifetime of 22.9 μs. The results clearly confirmed the importance concerning the dopant level in a Si base material in relation to open circuit voltage and short circuit current possible to obtain from the solar cell. Reduction of a base material resistivtiy leads to a lower value of an effective charge carrier lifetime and photoconversion efficiency both for Cz-Si and multicrystalline (mc-Si) solar cells. The experimental results and calculation showed, that in the case of a solar cell produced on the basis of crystalline silicon, the most important spectral range for an efficiency of a cell is covering a wavelength range of 587 ÷ 838 nm.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2016, 61, 4; 1889-1894
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Silicon solar cells efficiency improvement by the wet chemical texturization in the HF/HNO3/diluent solution
    Poprawa sprawności krzemowych ogniw słonecznych poprzez chemiczna tekturyzację w roztworach HF/HNO3/rozpuszczalnik
    Autorzy:
    Kulesza, G.
    Panek, P.
    Zięba, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/351196.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    teksturyzacja
    wytrawianie kwasem
    krzem multikrystaliczny
    krzemowe ogniwa słoneczne
    fotowoltaika
    texturization
    acid etching
    multicrystalline silicon
    silicon solar cells
    photovoltaics
    Opis:
    The paper presents the results of the texturization process of the multicrystalline silicon wafers carried out in ternary HF/HNO3/diluent solution, where the diluent was either CH3COOH or H2O, at varying HF/HNO3 volume ratio and different time of texturization process. The technique of scanning electron microscopy was used to characterize the morphology of the obtained multicrystalline silicon surfaces, with subsequent surface reflectivity measurements. The appropriate selection of mixture components lead to a significant reduction in the reflectivity of the incident solar radiation in the relatively short time of 60 seconds. The resultant electric parameters were nearly the same as those for the commercial samples but obtained after 3 minutes.
    Autorzy zaprezentowali wyniki badań dotyczących procesu teksturyzacji w roztworze HF/HNO3/rozpuszczalnik stosowanego dla płytek krzemu multikrystalicznego, gdzie jako rozpuszczalnik stosowano zamiennie CH3COOH oraz H2O. W badaniach jako zmienne przyjęto objętościowy stosunek HF/HNO3 oraz czas procesu. Morfologia powierzchni uzyskana po chemicznej modyfikacji krzemu została scharakteryzowana przy użyciu skaningowej mikroskopii elektronowej, a następnie zbadano wpływ takiego ukształtowania powierzchni na odbicie promieniowania słonecznego. Autorzy wykazali, że odpowiednie dobranie składu mieszaniny trawiącej pozwala na uzyskanie najniższych wartości odbicia w stosunkowo krótkim czasie 60 sekund. Ponadto parametry elektryczne zmodyfikowanych ogniw słonecznych nie odbiegały od tych uzyskanych komercyjnie w czasie trzykrotnie dłuższym.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 1; 291-295
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Laser-Assisted Copper Oxidation
    Autorzy:
    Musztyfaga-Staszuk, M.
    Gawlińska-Nęcek, K.
    Janicki, D.
    Panek, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/353054.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Cu
    CuO
    Cu2O
    laser micro-processing
    Opis:
    The paper proposes a method for copper sheet oxidation by using a laser beam. The thickness of the oxide layer increases with temperature growth; therefore, the proper parameters of the experiment such as pulse power, frequency and the speed of the beam were adjusted. High power diode laser was used in the investigations. The topography of the oxidised copper sheets was determined using atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy with EDS analyses. Optical parameters of the deposited layer were characterised by spectrophotometry. Both roughness and thickness of the investigated samples were measured using the confocal laser scanning microscope. The technological recommendations for the laser micro-machining technology to obtain copper sheet oxidation by using the high power laser beam were selected.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2020, 65, 2; 767-770
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Finite Element Analysis Of Adolescent Mandible Fracture Occurring During Accidents
    Autorzy:
    Żmudzki, J.
    Chladek, G.
    Panek, K.
    Lipiński, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352291.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    mandible fracture
    disocclusion state
    finite element analysis
    critical blow force
    Opis:
    The paper aims was assessing risks of mandible fractures consequent to impacts or sport accidents. The role of the structural stiffness of mandible, related to disocclusion state, was evaluated using the finite element method. It has been assumed, that the quasi-static stress field, due to distributed forces developed during accidents, could explain the common types of mandibular fractures. Mandibular condyles were supposed jammed in the maxillary fossae. The force of 700 N, simulating an impact on mandible, has been sequentially applied in three distinct areas: centrally, at canine zone and at the mandibular angle. Clinically most frequent fractures of mandible were recognized through the analysis of maximal principal stress/strain fields. It has been shown that mandibular fracture during accidents can be analyzed at satisfactory level using linear quasi-static models for designing protections.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2020, 65, 1; 65-72
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies