Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Zheng, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Aspects of the Scattering and Impedance Properties of Chaotic Microwave Cavities
Autorzy:
Hemmady, S.
Zheng, X.
Antonsen, T.
Ott, E.
Anlage, S. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044605.pdf
Data publikacji:
2006-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
05.45.Mt
03.65.Nk
11.55.-m
03.50.De
84.40.-x
84.40.Az
Opis:
We consider the statistics of the impedance Z of a chaotic microwave cavity coupled to a single port. We remove the non-universal effects of the coupling from the experimental Z data using the radiation impedance obtained directly from the experiments. We thus obtain the normalized impedance whose probability density function is predicted to be universal in that it depends only on the loss (quality factor) of the cavity. We find that impedance fluctuations decrease with increasing loss. The results apply to scattering measurements on any wave chaotic system.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 109, 1; 65-71
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of epitaxial LSMO films grown on STO substrates
Autorzy:
Španková, M.
Štrbík, V.
Chromik, Š.
Zheng, D.
Li, J.
Machajdík, D.
Kobzev, A.
Plecenik, T.
Sojková, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1054697.pdf
Data publikacji:
2017-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.37.Ps
75.47.Lx
75.70.Ak
81.15.Fg
Opis:
Epitaxial manganite La_{0.67}Sr_{0.33}MnO₃ (LSMO) layers, with a thickness of 20-50 nm, are prepared on single crystal (001) SrTiO₃ (STO) substrates by pulsed laser deposition technique. Structural characterization (composition analysis, surface morphology), investigated by the Rutherford backscattering spectroscopy and atomic force microscopy, reveals the growth of stoichiometric LSMO films with a smooth surface (root-mean-square value of 0.21-1.6 nm). The prepared LSMO films possess high Curie temperature ( ≈ 412 K), low room temperature resistivity (1-2 mΩ cm) and maximum of temperature coefficient of resistivity TCR = 2.7% K¯¹ at 321 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 4; 848-850
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ultrafast Phenomena in Freestanding LT-GaAs Devices
Autorzy:
Marso, M.
Mikulics, M.
Adam, R.
Wu, S. Wu.
Zheng, X.
Camara, I.
Siebe, F.
Förster, A.
Güsten, R.
Kordoš, P.
Sobolewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041640.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
72.40.+w
78.30.Fs
85.60.-q
85.60.Gz
Opis:
We report on the fabrication and high-frequency performance of our photodetectors and photomixers based on freestanding low-temperature-grown GaAs. The MBE-grown low-temperature GaAs layers are lifted from the native GaAs substrate and transferred on top of variety of host substrates. The freestanding devices exhibit breakdown electrical fields above 200 kV/cm and dark currents below 3×10$\text{}^{-7}$ A at 100 V bias. Device photoresponse shows 0.55 ps wide electrical transients with voltage amplitudes up to 1.3 V, measured using an electro-optical sampling technique with 100 fs wide laser pulses. Photomixing experiments at 460 GHz yield a 9 times higher output power for the freestanding device on Si/SiO$\text{}_{2}$ host substrate compared to the native substrate.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 109-117
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies