Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Wolny, P." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Electrostatic Gates for GaN/AlGaN Quantum Point Contacts
Autorzy:
Czapkiewicz, M.
Cywiński, G.
Dybko, K.
Siekacz, M.
Wolny, P.
Gierałtowska, S.
Guziewicz, E.
Skierbiszewski, C.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403637.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Qv
73.61.Ng
73.23.-b
Opis:
We report on AlGaN/GaN quantum point contacts fabricated by using e-beam lithography and dry ion etching. The tunable nano-constrictions are defined by the integration of side and top gates in a single device. In this configuration, the planar gates are located on the both sides of a quantum channel and the metallic top gates, which cover the active region, are separated from the substrate by an insulating and passivating layers of $HfO_2$ or $Al_2O_3//HfO_2$ composite. The properties of devices have been tested at T = 4.2 K. For side gates we have obtained a very small surface leakage current $I_g < 10^{-11}$ A at gate voltages $|V_g|$ < 2 V, however, it is not enough to close the quantum channel. With top gates we have been able to reach the pinch-off voltage at $V_g$ = - 3.5 V at a cost of $I_g ≈ 10^{-6} A$, which has been identified as a bulk leakage current.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1026-1028
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Waveguide Design for Long Wavelength InGaN Based Laser Diodes
Autorzy:
Muzioł, G.
Turski, H.
Siekacz, M.
Sawicka, M.
Wolny, P.
Cheze, C.
Cywiński, G.
Perlin, P.
Skierbiszewski, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403640.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.60.-q
42.82.Et
81.15.Hi
Opis:
One-dimensional optical waveguide calculations were performed to study the dependence of waveguide design on confinement factor (Γp) and optical losses ($\alpha_i$) of nitride laser diodes for emission wavelength ranging from 405 nm to 520 nm. We found that the conventional waveguide design containing GaN waveguide and AlGaN cladding layers known from violet laser diode does not support sufficient confinement of the optical mode for long wavelength devices (λ > 450 nm). We proposed a new design consisting of a thick InGaN waveguide which enhances the confinement. We compared the theoretical predictions with laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1031-1033
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fitting the long-range order of a decagonal quasicrystal
Autorzy:
Chodyń, M.
Kuczera, P.
Wolny, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1075925.pdf
Data publikacji:
2016-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.44.Br
Opis:
The generalized Penrose tiling is an infinite set of decagonal tilings. It is constructed with the same rhombs (thick and thin) as the conventional Penrose tiling, but its long-range order depends on the so-called shift parameter sın łangle 0,1). The formula for structure factor, calculated within the average unit cell approach, works in physical space only and is directly dependent on the s parameter. It allows to straightforwardly change the long-range order of the refined structure just by changing the s parameter and keeping the tile decoration unchanged. The possibility and viability of using the shift as one of the refinement parameters during structure refinement was tested for a numerically generated simple binary decagonal quasicrystal.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 4; 845-847
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Direct and Reciprocal Space Properties of the Generalized Penrose Tiling
Autorzy:
Chodyń, M.
Kuczera, P.
Wolny, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1202908.pdf
Data publikacji:
2014-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.44.Br
Opis:
We have constructed a generalized Penrose tiling by the cut-and-project method and compared its structure with that of the regular Penrose tiling. We derived the structure factor of the generalized Penrose tiling and applied it to calculate the diffraction pattern of a non-decorated structure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 2; 442-445
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Periodic Series of Peaks in Diffraction Patterns of Aperiodic Structures
Autorzy:
Wolny, J.
Kozakowski, B.
Kuczera, P.
Pytlik, L.
Strzałka, R.
Wnek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1203573.pdf
Data publikacji:
2014-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.44.-n
Opis:
Quasicrystals are aperiodic structures with no periodicity both in direct and reciprocal space. The diffraction pattern of quasicrystals consists however of the periodic series of peaks in the scattering vector space. The intensities of the peaks of all series reduced in a proper way build up the so-called envelope function common for the whole pattern. The Fourier transformed envelope gives the average unit cell which is the statistical distribution of atomic positions in physical space. The distributions lifted to high dimensions correspond to atomic surfaces - the basic concept of structural quasicrystals modeling within higher-dimensional approach.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 2; 625-628
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies