Autor: Onufrijevs, P. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Laser Induced Self-Organization of Nanohills/Nanowires in $SiO_2$/Si Interface
Autorzy:: Medvid, A.
Onufrijevs, P.
Dmitruk, I.
Pundyk, I.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1813410.pdf
Data publikacji:: 2008-03
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.47.Gk
75.47.Lx
07.57.Kp
Opis:: The aim of this work is to study optical properties of self-organized Si nanohills formed on the $SiO_2$/Si interface after pulsed Nd:YAG laser irradiation. Nanohills on Si surface give strong photoluminescence in the visible range of spectrum, with a long wing in red portion. This property is explained by charge carrier quantum confinement in nanohills/nanowires.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 1067-1070
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Characterization of Optical and Photoelectrical Properties of ZnO Crystals
Autorzy:: Onufrijevs, P.
Serevičius, T.
Scajev, P.
Manolis, G.
Medvids, A.
Chernyak, L.
Kuokstis, E.
Yang, C.
Jarasiunas, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1506285.pdf
Data publikacji:: 2011-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.15.+e
78.45.+h
78.30.Fs
Opis:: We characterized optical and photoelectrical properties of undoped and Ga-doped ZnO layers differently grown on sapphire substrates by using complementary optical methods. Different stimulated emission threshold values for ZnO epitaxial layers grown by pulsed laser deposition and MBE methods were attributed to crystalline quality of the layers and the growth method used. Different carrier lifetimes in various ZnO epitaxial layers are explained by defect-related and intrinsic mechanisms of recombination.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 274-276
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja